[實(shí)用新型]一種NOR型阻變存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720519419.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN207021297U
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許毅勝;熊濤;劉釗;舒清明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)計(jì)一種NOR型阻變存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)

Flash不揮發(fā)存儲(chǔ)器技術(shù)主要利用浮柵存儲(chǔ)電荷技術(shù)來改變MOS管的閾值特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，但是隨著特征尺寸的減少，F(xiàn)lash不揮發(fā)存儲(chǔ)器面臨諸多問題，例如電荷保持機(jī)制不確定，導(dǎo)致對(duì)浮柵存儲(chǔ)器的讀、寫和擦除操作結(jié)果與實(shí)際浮柵存儲(chǔ)器的狀態(tài)不符合等等。

因此尋找一種新的存儲(chǔ)機(jī)制的不揮發(fā)存儲(chǔ)器來替代現(xiàn)有的存儲(chǔ)器，是今后存儲(chǔ)器發(fā)展的必然趨勢(shì)。

但是現(xiàn)有技術(shù)中的阻變存儲(chǔ)器的阻變材料、上電極和下電極等組成阻變存儲(chǔ)器的材料是豎直方向上一層一層堆疊設(shè)置的，尺寸較大，且制備工藝繁瑣，成本較大。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種NOR型阻變存儲(chǔ)器，通過設(shè)置下電極包裹阻變材料，阻變材料與上電極包裹的結(jié)構(gòu)，來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，可以制造出集成度更高的存儲(chǔ)器，且制備工藝簡(jiǎn)單，成本降低。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種NOR型阻變存儲(chǔ)器，包括：

自下而上多個(gè)層疊設(shè)置的第一電極，所述第一電極之間設(shè)置有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層延伸至所述第一電極的外側(cè)，并包裹多個(gè)所述第一電極；

貫穿所述多個(gè)層疊設(shè)置的所述第一電極，以及所述層間介質(zhì)層的至少一個(gè)第一通孔，所述第一通孔的孔壁上設(shè)置有阻變材料；

設(shè)置在所述第一通孔內(nèi)，且由所述阻變材料包裹的第二電極，所述第二電極與對(duì)應(yīng)的字線電連接；

與所述第一電極一一對(duì)應(yīng)，且設(shè)置在所述層間介質(zhì)層內(nèi)的第二通孔，所述第二通孔內(nèi)形成有位線，所述位線與對(duì)應(yīng)的第一電極電連接。

可選地，還包括與所述第二電極對(duì)應(yīng)設(shè)置的選通管；所述選通管包括源極、漏極和柵極，所述選通管的上表面設(shè)置絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述源極、漏極和柵極；

所述絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電過孔，所述第二電極通過所述導(dǎo)電過孔與對(duì)應(yīng)的所述選通管的漏極電連接

所述柵極與所述字線相連。

可選地，還包括設(shè)置在所述第二電極和所述導(dǎo)電過孔之間的過渡金屬層。

可選地，所述過渡金屬層的材料為銅，所述導(dǎo)電過孔的填充材料為鎢。

可選地，所述阻變材料為WOx，TaOx以及HfOx中的任意一種，所述第一電極的材料為鎢，所述第二電極的材料為鎢。

本實(shí)施例中提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器相比現(xiàn)有技術(shù)的方案，同時(shí)采用層間介質(zhì)層包裹第一電極采用第一電極包裹阻變材料，阻變材料包裹第二電極的結(jié)構(gòu)，同行的阻變存儲(chǔ)單元共用一個(gè)第一電極，同列的阻變存儲(chǔ)單元公用一個(gè)阻變材料和第二電極，巧妙采用層間介質(zhì)層包裹第一電極的結(jié)構(gòu)將自下而上多個(gè)層疊設(shè)置成NOR型阻變存儲(chǔ)器。這樣的結(jié)構(gòu)集成度更高，圖形化膜層的工藝減少，降低了成本，增加產(chǎn)品良率，整個(gè)NOR型阻變存儲(chǔ)器在正常工作的過程中接觸電阻小。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖說明所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器的俯視圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A方向的剖面圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的又一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A方向的剖面圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的又一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A方向的剖面圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器的制備方法流程示意圖；

圖6a-圖6g為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器的制備方法的各步驟對(duì)應(yīng)的剖面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖1為本圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器的俯視圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A方向的剖面圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的又一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A方向的剖面圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的又一種NOR型阻變存儲(chǔ)器A-A 方向的剖面圖。