[實用新型]一種NOR型阻變存儲器有效
| 申請號： | 201720519419.7 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN207021297U | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發明（設計）人： | 許毅勝;熊濤;劉釗;舒清明 | 申請（專利權）人： | 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區張*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nor 型阻變 存儲器 | ||
1.一種NOR型阻變存儲器，其特征在于，包括：
自下而上多個層疊設置的第一電極，所述第一電極之間設置有層間介質層，所述層間介質層延伸至所述第一電極的外側，并包裹多個所述第一電極；
貫穿所述多個層疊設置的所述第一電極，以及所述層間介質層的至少一個第一通孔，所述第一通孔的孔壁上設置有阻變材料；
設置在所述第一通孔內，且由所述阻變材料包裹的第二電極，所述第二電極與對應的字線電連接；
與所述第一電極一一對應，且設置在所述層間介質層內的第二通孔，所述第二通孔內形成有位線，所述位線與對應的第一電極電連接。
2.根據權利要求1所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
還包括與所述第二電極對應設置的選通管；所述選通管包括源極、漏極和柵極，所述選通管的上表面設置絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述源極、漏極和柵極；
所述絕緣層中設置導電過孔，所述第二電極通過所述導電過孔與對應的所述選通管的漏極電連接。
3.根據權利要求2所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，還包括設置在所述第二電極和所述導電過孔之間的過渡金屬層。
4.根據權利要求3所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
所述過渡金屬層的材料為銅，所述導電過孔的填充材料為鎢。
5.根據權利要求1所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
所述阻變材料為WOx，TaOx以及HfOx中的任意一種，所述第一電極的材料為鎢，所述第二電極的材料為鎢。
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