[實(shí)用新型]一種DFN2018?6高密度框架

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720510285.2
• 申請(qǐng)日: 2017-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN206711890U
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;許兵;李寧;李超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所51221
• 代理人: 王蕓,熊曉果

1.一種DFN2018-6高密度框架，包括板狀結(jié)構(gòu)的矩形框架，其特征在于，在框架上多個(gè)與DFN2018-6封裝結(jié)構(gòu)相適應(yīng)的芯片安裝部，每個(gè)芯片安裝部設(shè)有4個(gè)引腳槽，所有引腳槽均延伸至芯片安裝部邊緣，每個(gè)所述引腳槽靠近芯片安裝位置的槽寬相對(duì)于另一側(cè)更大，且靠近芯片安裝位置的引腳槽周圍設(shè)置成半腐蝕結(jié)構(gòu)，使每個(gè)引腳槽能安裝2根引腳。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述芯片安裝部包括芯片支撐區(qū)和芯片散熱區(qū)，在芯片支撐區(qū)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)芯片散熱區(qū)，所述芯片支撐區(qū)為半腐蝕結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所有芯片安裝部的長(zhǎng)邊與框架的長(zhǎng)邊或短邊平行布置，所有引腳槽均設(shè)置于芯片安裝部的一側(cè)并延伸至邊緣，芯片安裝部的另一對(duì)稱側(cè)設(shè)有與切割道連通的連通槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安裝部之間為切割部，所述切割部為橫豎交錯(cuò)的切割道連筋，所述切割道連筋的寬度為0.1±0.05mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述切割道連筋為半腐蝕結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安裝部周圍的四個(gè)角上還設(shè)有十字連筋，用于連接橫豎交錯(cuò)設(shè)置的切割道連筋。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架的邊框部分的開孔處增加半腐蝕設(shè)計(jì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述邊框上也設(shè)有半腐蝕結(jié)構(gòu)，為在邊框面上設(shè)置的多個(gè)工字型半腐蝕區(qū)，多個(gè)所述工字型半腐蝕區(qū)在邊框上間隔設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架上設(shè)有單元分隔槽，所述單元分隔槽設(shè)置在框架中部，將框架均分為2個(gè)芯片安裝單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架長(zhǎng)度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，在每個(gè)芯片安裝單元內(nèi)均布置有27排、58列芯片安裝部。