[實用新型]一種DFN2013?2高密度框架有效
| 申請號： | 201720510248.1 | 申請日： | 2017-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN206685375U | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發明（設計）人： | 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;許兵;李寧;李超 | 申請（專利權）人： | 成都先進功率半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律師事務所51221 | 代理人： | 王蕓,熊曉果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 dfn2013 高密度 框架 | ||
1.一種DFN2013-2高密度框架，包括板狀結構的矩形框架，其特征在于，在框架上多個與DFN2013-2封裝結構相適應的芯片安裝部，所述芯片安裝部包括芯片安置區和引腳安置區，所述芯片安置區和引腳安置區的比例為2:1或3:1或4:1，且芯片的2根引腳均焊接于引腳安置區內。
2.根據權利要求1所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述芯片安裝部為矩形，所有芯片安裝部的長邊與框架的短邊平行布置，在芯片安裝部之間為切割部，所述切割部為橫豎交錯的切割道連筋，所述切割道連筋的寬度為0.1±0.05mm。
3.根據權利要求2所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述切割道連筋為半腐蝕結構。
4.根據權利要求1-3之一所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在芯片安裝部的周圍設置有多個加強連塊，相鄰的芯片安裝部通過加強連塊連接。
5.根據權利要求4所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在每個芯片安裝部的芯片安置區周圍連有5個加強連塊。
6.根據權利要求5所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，在芯片安裝部周圍的四個角上還設有十字連筋，用于連接橫豎交錯設置的切割道連筋。
7.根據權利要求1所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述框架上設有單元分隔槽，所述單元分隔槽設置在框架中部，將框架均分為2個芯片安裝單元。
8.根據權利要求7所述的DFN2013-2高密度框架，其特征在于，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，在每個芯片安裝單元內均布置有27排、78列芯片安裝部。
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