[實用新型]一種晶圓載具有效
| 申請號: | 201720504194.8 | 申請日: | 2017-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN206672907U | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 莫中友 | 申請(專利權)人: | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/683 |
| 代理公司: | 成都華風專利事務所(普通合伙)51223 | 代理人: | 徐豐 |
| 地址: | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓載具 | ||
技術領域
本實用新型屬于半導體制造設備技術領域,具體涉及一種晶圓載具。
背景技術
在部分干法蝕刻生產工藝中,待生產的晶圓需放置在生產設備的靜電吸附盤(ESC)上面,靜電吸附盤通過控溫設備進行溫度控制。當靜電吸附盤加電壓后,晶圓將吸附在靜電吸附盤上,然后靜電吸附盤通入氦氣,使氦氣分布在靜電吸附盤上表面和晶圓下表面之間。由于氦氣具有良好的導熱性,可通過控制靜電吸附盤的溫度來間接控制晶圓溫度,以達到晶圓均勻控溫的目的。
目前集成電路制造行業中,主流晶圓尺寸一般為4英寸、6英寸、8英寸和12英寸。如在砷化鎵集成電路制造工藝中,需要將150mm的砷化鎵晶圓粘合(Bonding)到156mm的藍寶石襯底上,粘合后的晶圓將由原來的150mm變為156mm。為滿足156mm砷化晶圓的生產需要,部分廠商將設備定制為156mm晶圓生產設備。156mm晶圓生產設備放置晶圓的靜電吸附盤(ESC)尺寸一般為153mm-156mm,比150mm晶圓要稍大一些。如生產150mm甚至更小尺寸的晶圓時,這些晶圓將無法完全覆蓋住靜電吸附盤(ESC),導致在生產過程中,等離子體損傷靜電吸附盤(ESC)的裸露區域。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種適用于尺寸小于靜電吸附盤的晶圓生產的載具,避免晶圓無法完全覆蓋住靜電吸附盤,導致靜電吸附盤的裸露區域受損的情況。
為達到上述要求,本實用新型采取的技術方案是:提供一種晶圓載具,包括直徑大于或等于靜電吸附盤直徑的圓形托盤,圓形托盤上設置有具有缺口的圓環型凸起;圓環型凸起內部的圓形托盤上設有若干與圓形托盤同圓心的圓環型凹槽,圓環型凹槽上開設有若干通孔。
與現有技術相比,本實用新型具有以下優點:將晶圓放置在此載具上,然后將晶圓和載具一起放入等離子體反應腔室中進行生產工藝,由于此載具直徑大于或等于靜電吸附盤直徑,可完全覆蓋住靜電吸附盤,避免靜電吸附盤因裸露在等離子體中而造成的損壞;同時載具采用通孔加凹槽的設計,通孔將靜電吸附盤流出的氦氣引入凹槽內,凹槽引導氦氣充分地分布在晶圓與載具之間,達到均勻、高效的控溫,適用于任何尺寸小于靜電吸附盤的晶圓。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解,構成本申請的一部分,在這些附圖中使用相同的參考標號來表示相同或相似的部分,本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請,并不構成對本申請的不當限定。在附圖中:
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚,以下結合附圖及具體實施例,對本申請作進一步地詳細說明。為簡單起見,以下描述中省略了本領域技術人員公知的某些技術特征。
如圖1所示,本實施例提供一種晶圓載具,載具表面粗糙度小于0.8μm,包括直徑等于靜電吸附盤直徑的圓形托盤4,圓形托盤4的厚度為1.5mm;圓形托盤4上設置有具有缺口6的圓環型凸起3,可以防止晶圓滑出,圓環型凸起3的直徑可以根據晶圓的直徑設置,且圓環型凸起3的厚度為1mm,寬度2mm,缺口6的長度為10mm,設置缺口6方便晶圓的取放。圓環型凸起3內部的圓形托盤4上設有6個與圓形托盤4同圓心的圓環型凹槽5,直徑分別為圓環型凹槽5寬度1.2mm,深度0.5mm;每個圓環型凹槽5上均開設有若干均勻排布的通孔2。
圓環型凸起3內部的圓形托盤4上設有16個直線凹槽1,直線凹槽1沿圓形托盤4的圓心呈扇形分布,相鄰兩個直線凹槽1的夾角為22.5°。其中兩對中心對稱的直線凹槽1,其一端連接圓環型凹槽5,另一端連接圓心,該兩對直線凹槽1的相交處開設有通孔2。其余12個直線凹槽1的一端連接圓環型凹槽5,另一端連接圓環型凹槽5;直線凹槽1寬度1.2mm,深度0.3mm。
所有直線凹槽1與圓環型凹槽5的交點處開設有通孔2,通孔2直徑1.2mm。
最外圈的圓環型凹槽5的半徑R1小于晶圓的半徑R2,且3mm<R2-R1<5mm。
圓形托盤4和圓環型凸起3采用碳化硅材料制成,可有效抵抗設備中等離子體的侵蝕,還具備很強的導熱性能。
以上實施例僅表示本實用新型的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能理解為對本實用新型范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本實用新型保護范圍。因此本實用新型的保護范圍應該以權利要求為準。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都海威華芯科技有限公司,未經成都海威華芯科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720504194.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種自動報警加熱輸液器
- 下一篇:一種輸液用支架裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





