[實(shí)用新型]一種晶圓載具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720504194.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN206672907U | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 莫中友 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/673 | 分類號(hào)： | H01L21/673;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐豐 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶圓載具 | ||
1.一種晶圓載具，其特征在于，包括直徑大于或等于靜電吸附盤直徑的圓形托盤，圓形托盤上設(shè)置有具有缺口的圓環(huán)型凸起；圓環(huán)型凸起內(nèi)部的圓形托盤上設(shè)有若干與圓形托盤同圓心的圓環(huán)型凹槽，圓環(huán)型凹槽上開(kāi)設(shè)有若干通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載具，其特征在于，所述圓環(huán)型凸起內(nèi)部的所述圓形托盤上設(shè)有若干直線凹槽，且直線凹槽沿圓形托盤的圓心呈扇形分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載具，其特征在于，至少部分所述直線凹槽通達(dá)所述圓形托盤的圓心，該通達(dá)圓心的直線凹槽的相交處開(kāi)設(shè)有通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載具，其特征在于，至少部分所述直線凹槽與所述圓環(huán)型凹槽的交點(diǎn)處開(kāi)設(shè)有通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載具，其特征在于，所述最外圈的圓環(huán)型凹槽的半徑R1小于晶圓的半徑R2，且3mm＜R2-R1＜5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載具，其特征在于，所述圓形托盤和圓環(huán)型凸起采用陶瓷或碳化硅材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載具，其特征在于，所述圓形托盤的厚度不超過(guò)2mm，圓環(huán)型凸起的厚度不超過(guò)1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶圓載具，其特征在于，所述圓環(huán)型凹槽和直線凹槽的寬度均小于1.5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載具，其特征在于，所述缺口的長(zhǎng)度為10mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
