[實用新型]一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置

有效

• 申請號: 201720503582.4
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN206696440U
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 李洪;江孝國;龍全紅;劉云龍;葉毅;戴文華;王遠;楊興林
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙)51220
• 代理人: 王記明

1.一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于：包括一個下環座(2)，下環座(2)的上端面沿其軸線內凹形成有一個環狀凹槽，還包括一個與下環座(2)相匹配的上環座(1)，上環座(1)的下表面設置有向下凸出且與下環座(2)的環狀凹槽相匹配的凸環，上環座(1)的凸環插入下環座(2)的環狀凹槽后，鋪設在下環座(2)上的薄膜(6)被擴張形成鏡面。

2.根據權利要求1所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，在所述上環座(1)凸環的內側設置有一環狀密封槽，在該環狀密封槽內設置有一個側面擴展密封圈(5)。

3.根據權利要求1所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，所述下環座(2)環狀凹槽內側的端面沿下環座(2)的軸向內凹形成有頂部凹槽，在頂部凹槽內安裝有保持密封圈(4)。

4.根據權利要求1所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，在所述下環座(2)的環狀凹槽內安裝有壓緊密封圈(3)。

5.根據權利要求4所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，在所述的壓緊密封圈(3)上設置有向下延伸并進入下環座(2)底部的條形槽(7)，在條形槽(7)的底部設置有貫穿下環座(2)的螺孔。

6.根據權利要求1所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，在所述下環座(2)的環狀凹槽外側壁上，設置有多個排氣孔(8)。

7.根據權利要求1所述的一種用于電子束發射度測量的微米量級轉換靶裝置，其特征在于，在所述下環座(2)的外側還設置有一個連接基座(9)。