[實用新型]一種新型電子元件

有效

• 申請號: 201720502227.5
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN206819996U
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 夏超;張琦;吳良松;陳锃基
• 申請（專利權）人: 工業和信息化部電子第五研究所華東分所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術領域

本實用新型涉及電子元器件技術領域，尤其涉及一種新型電子元件。

背景技術

功率集成電路也稱高壓集成電路，是現代電子學的重要分支，可為各種功率變換和能源處理裝置提供高速、高集成度、低功耗和抗輻照的新型電路，廣泛應用于電力控制系統、汽車電子、顯示器件驅動、通信和照明等日常消費領域以及國防、航天等諸多重要領域。其應用范圍的迅速擴大，對其核心部分的高壓器件也提出了更高的要求。對功率器件而言，在保證擊穿電壓的前提下，必須盡可能地降低器件的導通電阻來提高器件性能。但擊穿電壓和導通電阻之間存在一種近似平方關系，形成所謂的“硅限”。必須引入新的材料或器件結構才能有效的突破“硅限”。為了進一步提高器件性能，業內提出了溝道-橫向擴散金屬氧化物半導體(Trench-Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，Trench-LDMOS)器件結構，有效的提高了半導體功率器件性能。

傳統的絕緣體上硅結構(Silicon On Insulator，SOI)Trench-LDMOS器件是在漂移區中部插入一層深的Trench層，可以有效的減小漂移區長度，降低器件導通電阻，但是器件處于關態時，電場大部分都聚集于器件表面，體內電場較小，器件容易在表面提前擊穿，限制了擊穿電壓的進一步提高。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種新型電子元件，以解決現有技術中電子元件擊穿電壓較低的技術問題。

本實用新型實施例提供了一種新型電子元件，包括：

襯底；

位于所述襯底上的埋氧層；

位于所述埋氧層上遠離所述襯底一側的漂移層，所述漂移層的上表面形成有窗口，所述漂移層上的表面為所述漂移層遠離所述埋氧層一側的表面；

位于所述窗口內壁或者所述窗口內壁以及所述窗口下表面的摻雜區；

位于所述窗口內的絕緣層，所述絕緣層包括至少一個第一絕緣層和至少一個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿第一方向排列，所述第一方向與所述漂移層的上表面垂直；

位于所述漂移層上或者所述絕緣層上遠離所述埋氧層一側的源極電極、柵極電極以及漏極電極。

可選的，所述絕緣層包括兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，沿所述第一方向，至少兩個所述第二絕緣層位于兩個所述第一絕緣層之間，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數不同。

可選的，所述絕緣層包括至少兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿所述第一方向間隔交叉排列，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數相同或者不同。

可選的，所述第一絕緣層為SiO₂層，所述第二絕緣層為低溫共燒陶瓷。

可選的，所述摻雜區包括P型摻雜區和N型摻雜區中的至少一種。

可選的，所述新型電子元件還包括：

至少一個金屬場板，所述金屬場板位于所述絕緣層內。

可選的，所述金屬場板為柵極金屬場板或者漏極金屬場板中的至少一種。

可選的，所述新型電子元件還包括：

多晶硅層，與所述柵極電極對應設置；

源極體區，與所述源極電極對應設置。

可選的，所述襯底為P型襯底，所述漂移層為N型漂移層，所述埋氧層為SiO₂層。

本實用新型實施例提供的新型電子元件，包括襯底、埋氧層和位于埋氧層上的漂移層，漂移層的上表面形成有窗口，窗口內壁或者窗口內壁以及窗口的下表面形成有摻雜區，窗口內形成有絕緣層，絕緣層包括至少一個第一絕緣層和至少一個第二絕緣層，在元件處于反向耐壓時，在第一絕緣層和第二絕緣層的界面交界處會產生新的電場峰值，從而提高了漂移層的平均電場，提高電子元件擊穿電壓；在電子元件導通時，絕緣層的輔助耗盡作用可以有效的耗盡窗口內的摻雜區，降低電子元件導通電阻。

附圖說明

為了更加清楚地說明本實用新型示例性實施例的技術方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本實用新型所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領域普通技術人員，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例提供的一種新型電子元件的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的另一種新型電子元件的結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例提供的又一種新型電子元件的結構示意圖；