[實用新型]一種新型電子元件

有效

• 申請號: 201720502227.5
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN206819996U
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 夏超;張琦;吳良松;陳锃基
• 申請（專利權）人: 工業和信息化部電子第五研究所華東分所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種新型電子元件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的埋氧層；

位于所述埋氧層上遠離所述襯底一側的漂移層，所述漂移層的上表面形成有窗口，所述漂移層的上表面為所述漂移層遠離所述埋氧層一側的表面；

位于所述窗口內壁，或者所述窗口內壁以及所述窗口下表面的摻雜區；

位于所述窗口內的絕緣層，所述絕緣層包括至少一個第一絕緣層和至少一個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿第一方向排列，所述第一方向與所述漂移層的上表面垂直；

位于所述漂移層上遠離所述埋氧層一側或者所述絕緣層上遠離所述埋氧層一側的源極電極、柵極電極以及漏極電極。

2.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述絕緣層包括兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，沿所述第一方向，至少兩個所述第二絕緣層位于兩個所述第一絕緣層之間，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數不同。

3.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述絕緣層包括至少兩個第一絕緣層和至少兩個第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層沿所述第一方向間隔交叉排列，且至少兩個所述第二絕緣層的介電常數相同或者不同。

4.根據權利要求1-3任一項所述的新型電子元件，其特征在于，所述第一絕緣層為SiO₂層，所述第二絕緣層為低溫共燒陶瓷。

5.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述摻雜區包括P型摻雜區和N型摻雜區中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述新型電子元件還包括：

至少一個金屬場板，所述金屬場板位于所述絕緣層內。

7.根據權利要求6所述的新型電子元件，其特征在于，所述金屬場板為柵極金屬場板或者漏極金屬場板中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述新型電子元件還包括：

多晶硅層，與所述柵極電極對應設置；

源極體區，與所述源極電極對應設置。

9.根據權利要求1所述的新型電子元件，其特征在于，所述襯底為P型襯底，所述漂移層為N型漂移層，所述埋氧層為SiO₂層。