[實用新型]一種短路檢測及保護電路

有效

• 申請號: 201720499176.5
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN207053161U
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 李東瑞;張丹
• 申請（專利權）人: 無錫市比奧迪科技有限公司
• 主分類號: H02H3/08
• 分類號: H02H3/08
• 代理公司: 無錫市朗高知識產權代理有限公司32262
• 代理人: 趙華

技術領域

本實用新型涉及線切割加工領域，尤其涉及往復走絲脈沖電源的一種短路檢測及保護電路，用于減小鉬絲損耗、降低斷絲機率。

背景技術

目前市場應用的脈沖電源，加工效率，表面光潔度普遍較低，鉬絲損耗大，加大電流后容易斷絲，經研究發現斷絲和鉬絲損耗大是由于放電能量加大后加工狀態不穩導致短路此時峰值電流升高所引起的，因此對短路狀態檢測及保護尤為重要為解決上述問題本研究出脈沖電源的一種短路檢測及保護電路。

實用新型內容

本專利申請提供了帶有短路檢測及短路保護的脈沖電源，能夠降低鉬絲損耗、提高效率表面光潔度和精度，本實用新型采用以下技術方案：一種短路檢測及保護電路，包括：檢測電路、保護電路，所述保護電路包括有：光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放電阻3R1和可擦除可編輯邏輯器件（以下簡稱：EPLD），所述光耦Ⅰ的輸入端接EPLD輸出端，光耦Ⅰ輸出端接MOS管Ⅰ柵極（G極），利用光耦Ⅰ輸出信號驅動MOS管Ⅰ，所述MOS管Ⅰ的漏極（D極）經功放電阻3R₁后接負載鉬絲；所述檢測電路包括有：采樣電阻3R2、可控穩壓源、光耦Ⅱ，所述采樣電阻3R2一端接地，另一端接MOS管Ⅰ的源極（S極），用于檢測MOS管Ⅰ的負載鉬絲狀態，所述可控穩壓源參考極接采樣電阻3R2與MOS管Ⅰ源極（S極）公共端，所述可控穩壓源陰極（R極）接光耦Ⅱ輸入端，所述光耦Ⅱ輸出端接EPLD輸入端，用于將鉬絲負載狀態反饋于EPLD。

優選的，所述保護電路中，電阻1R2與光耦Ⅰ輸出端的公共端還連接有電阻1R1，電阻1R1另一端接地。

優選的，所述保護電路中，MOS管Ⅰ為N型，MOS管ⅠD極的功放電阻3R1與續流二極管D₁ 反向并聯，用于保護MOS管Ⅰ。

優選的，所述可控穩壓源Ⅰ可采用TL431，所述可控穩壓源Ⅰ的A極接地、K極連接電阻4R₁后接光耦Ⅱ。

優選的，所述光耦Ⅱ可選用M600型號，所述光耦Ⅱ的信號輸出端5腳與EPLD輸入

端相連，4腳與A0V相連，光耦Ⅱ的4、5腳之間接C1電容，光耦的5、6腳之間連接5R1電阻。

本實用新型的有益效果：本實用新型帶有短路檢測及短路保護的脈沖電源，EPLD輸出高頻脈沖信號經光耦Ⅰ進行隔離、經光耦Ⅰ的電信號控制MOS管Ⅰ的通斷，MOS管Ⅰ的漏極經功放電阻3R₁后接鉬絲，MOS管Ⅰ的源極接采樣電阻3R2,通過3R2采樣電阻兩端的電壓值來判斷是空載放電，還是短路加工狀態，將代表負載狀態信息的電壓信號通過可控穩壓源、光耦Ⅱ傳給EPLD，EPLD根據輸入的電壓信號進行高頻信號的輸出控制，如果是短路狀態EPLD將停止發震蕩信號給光耦Ⅰ，避免短路電流大造成短斷絲，直到檢測不到處在短路狀態時EPLD再發震蕩信號，根據相應的狀態做出相應的調整使其處在穩定狀態下加工，利用這種結構鉬絲損耗明顯變小、斷絲機率減少，工件表面光潔度明顯提高由于斷絲機率降低工作效率大大提高，本專利申請中，功放電阻3R₁與續流二極管D₁ 反向并聯，D1導通可消除3R1上的反電動勢達到保護MOS管。

附圖說明

圖1為本實用新型的電路原理圖；

圖2為本實用新型的效果圖；

圖中，1D1為光耦Ⅰ；3V1為MOS管Ⅰ，3V1的1引腳為G極，3V1的2引腳為D極，3V1的3引腳為S極；3V2為TL431可控穩壓源Ⅰ，TL431可控穩壓源Ⅰ的1引腳為R極，TL431可控穩壓源Ⅰ的2引腳為K極，TL431可控穩壓源Ⅰ的3引腳為A極；N1為光耦Ⅱ。

具體實施方式

由圖1所示可知，本實用新型提供一種短路檢測及保護電路，包括：檢測電路、保護電路，所述保護電路包括有：光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放電阻3R1和可擦除可編輯邏輯器件（以下簡稱：EPLD），所述光耦Ⅰ的輸入端接EPLD輸出端，EPLD輸出的高頻脈沖信號給光耦Ⅰ，光耦Ⅰ進行電光電的轉換，光耦Ⅰ輸出端接MOS管Ⅰ柵極（G極），利用光耦Ⅰ輸出信號驅動MOS管Ⅰ，所述MOS管Ⅰ的漏極（D極）經功放電阻3R1后接負載鉬絲，MOS管Ⅰ柵源極電壓UGS控制MOS管Ⅰ的通斷，G極接收高電平脈沖信號時，MOS管Ⅰ導通，當負載鉬絲處于短路加工狀態時，S端電壓上升。