[實用新型]一種短路檢測及保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720499176.5 | 申請日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN207053161U | 公開（公告）日： | 2018-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李東瑞;張丹 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫市比奧迪科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H3/08 | 分類號： | H02H3/08 |
| 代理公司： | 無錫市朗高知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32262 | 代理人： | 趙華 |
| 地址： | 214121 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 短路 檢測 保護(hù) 電路 | ||
1.一種短路檢測及保護(hù)電路，包括：檢測電路、保護(hù)電路，其特征在于：所述保護(hù)電路包括有：光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放電阻3R1和可擦除可編輯邏輯器件（以下簡稱：EPLD），所述光耦Ⅰ的輸入端接EPLD輸出端，光耦Ⅰ輸出端接MOS管Ⅰ柵極（G極），利用光耦Ⅰ輸出信號驅(qū)動MOS管Ⅰ，所述MOS管Ⅰ的漏極（D極）經(jīng)功放電阻3R1后接負(fù)載鉬絲；所述檢測電路包括有：采樣電阻3R2、可控穩(wěn)壓源、光耦Ⅱ，所述采樣電阻3R2一端接地，另一端接MOS管Ⅰ的源極（S極），用于檢測MOS管Ⅰ的負(fù)載鉬絲狀態(tài)，所述可控穩(wěn)壓源參考極接采樣電阻3R2與MOS管Ⅰ源極（S極）公共端，所述可控穩(wěn)壓源陰極（R極）接光耦Ⅱ輸入端，所述光耦Ⅱ輸出端接EPLD輸入端，用于將加工狀態(tài)反饋于EPLD。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短路檢測及保護(hù)電路，其特征在于：所述保護(hù)電路中，電阻1R2與光耦Ⅰ輸出端的公共端還連接有電阻1R1，電阻1R1另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短路檢測及保護(hù)電路，其特征在于：所述保護(hù)電路中，MOS管Ⅰ為N型，MOS管ⅠD極的功放電阻3R1與續(xù)流二極管D1 反向并聯(lián)，用于保護(hù)MOS管Ⅰ。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短路檢測及保護(hù)電路，其特征在于：所述可控穩(wěn)壓源Ⅰ可采用TL431，所述可控穩(wěn)壓源Ⅰ的A極接地、K極連接電阻4R1后接光耦Ⅱ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短路檢測及保護(hù)電路，其特征在于：所述光耦Ⅱ可選用M600型號，所述光耦Ⅱ的信號輸出端5腳與EPLD輸入端相連，4腳與A0V相連，光耦Ⅱ的4、5腳之間接C1電容，光耦的5、6腳之間連接5R1電阻。
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