[實用新型]一種浮柵存儲器

有效

• 申請號: 201720485135.0
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN206877997U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 許毅勝;熊濤;劉釗;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種浮柵存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的多個凹槽；

形成所述凹槽內的隔離絕緣層，所述襯底的上表面高度高于所述隔離絕緣層的上表面，以形成襯底凸起；

形成在所述襯底凸起上方的隧穿氧化層，所述隧穿氧化層延伸在所述隔離絕緣層上方；

形成在所述隧穿氧化層上方的浮柵，所述浮柵覆蓋所述隧穿氧化層；

形成在所述浮柵上方的層間絕緣層，所述層間絕緣層延伸至所述隧穿氧化層上方；

覆蓋在所述層間絕緣層上方的控制柵。

2.根據權利要求1所述的浮柵存儲器，其特征在于，所述層間絕緣層包括依次層疊的第一層間絕緣層、第二層間絕緣層和第三層間絕緣層；

所述第一層間絕緣層的材料為氧化硅；所述第二層間絕緣層的材料為氮化硅；所述第三層間絕緣層的材料為氧化硅。

3.根據權利要求1所述的浮柵存儲器，其特征在于，

所述襯底凸起的上表面為平面或曲面。

4.根據權利要求3所述的浮柵存儲器，其特征在于，

所述襯底凸起的縱截面為正方形。

5.根據權利要求4所述的浮柵存儲器，其特征在于，

所述正方形的邊長范圍為大于等于15nm小于等于30nm。

6.根據權利要求1所述的浮柵存儲器，其特征在于，

所述襯底的導電類型為N型或者P型。

7.根據權利要求1所述的浮柵存儲器，其特征在于，

所述隔離絕緣層的材料為氧化硅。