[實用新型]一種浮柵存儲器

有效

• 申請號: 201720485135.0
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN206877997U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 許毅勝;熊濤;劉釗;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其設計一種浮柵存儲器。

背景技術

浮柵存儲器由于高集成度、低功耗、高可靠性和高性價比等優點，在非易失性存儲器市場中占據了主要的份額。

但隨著微電子技術的發展，浮柵存儲器也面臨了一系列的挑戰，如更低的功耗，更快的速度，更高的集成度等。

對于傳統浮柵存儲器而言，浮柵存儲器的溝道為二維結構，在減小浮柵存儲器的尺寸的同時，會造成溝道尺寸的減小。當溝道尺寸減小到一定尺寸時，浮柵存儲器面臨諸多問題，例如電荷保持機制不確定，導致對浮柵存儲器的讀、寫和擦除操作結果與實際浮柵存儲器的狀態不符合等等。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供了一種浮柵存儲器，將浮柵存儲器的溝道圖形制作成三維凸起結構，減小了浮柵存儲器的尺寸的同時，沒有減小溝道長度，巧妙地避免了短溝道效應。

本實用新型實施例提供了一種浮柵存儲器，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的多個凹槽；

形成所述凹槽內的隔離絕緣層，所述襯底的上表面高度高于所述隔離絕緣層的上表面，以形成襯底凸起；

形成在所述襯底凸起上方的隧穿氧化層，所述隧穿氧化層延伸在所述隔離絕緣層上方；

形成在所述隧穿氧化層上方的浮柵，所述浮柵覆蓋所述隧穿氧化層；

形成在所述浮柵上方的層間絕緣層，所述層間絕緣層延伸至所述隧穿氧化層上方；

覆蓋在所述層間絕緣層上方的控制柵。

可選地，所述層間絕緣層包括依次層疊的第一層間絕緣層、第二層間絕緣層和第三層間絕緣層；

所述第一層間絕緣層的材料為氧化硅；所述第二層間絕緣層的材料為氮化硅；所述第三層間絕緣層的材料為氧化硅。

可選地，所述襯底凸起的上表面為平面或曲面

可選地，所述襯底凸起的縱截面為正方形。

可選地，所述正方形的邊長范圍為大于等于15nm小于等于30nm。

可選地，所述襯底的導電類型為N型或者P型。

可選地，所述隔離絕緣層的材料為氧化硅。

本實用新型實施例提供了一種浮柵存儲器，通過設置襯底的上表面高度高于隔離絕緣層的上表面，以形成襯底凸起，溝道相應地為三維結構，這樣的結構可以使得在兼顧減小浮柵存儲器器件尺寸的情況下，并沒有因此而減小溝道的長度，巧妙地克服了短溝道效應。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖說明所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優點將變得更明顯。

圖1為本實用新型實施例一提供的一種浮柵存儲器的剖面結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例一提供的又一種浮柵存儲器的剖面結構示意圖；

圖3為現有技術中浮柵存儲器的剖面結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例二提供的一種浮柵存儲器的制備方法的流程示意圖；

圖5a-圖5h為本實用新型實施例二提供的一種浮柵存儲器的制備方法的各步驟對應的剖面圖。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關的部分而非全部結構。

實施例一

圖1為本實用新型實施例一提供的一種浮柵存儲器的剖面結構示意圖；圖2為現有技術中浮柵存儲器的剖面結構示意圖；圖3為本實用新型實施例一提供的又一種浮柵存儲器的剖面結構示意圖。

參見圖1，本實用新型實施例提供了一種浮柵存儲器，該浮柵存儲器包括：襯底10；形成在襯底10上的多個凹槽11，圖中示例性地僅示出相鄰兩個凹槽11；形成凹槽11內的隔離絕緣層12，襯底10的上表面高度高于隔離絕緣層12的上表面，以形成襯底凸起；形成在襯底凸起上方的隧穿氧化層14，隧穿氧化層14延伸在隔離絕緣層12上方；形成在隧穿氧化層14上方的浮柵15，浮柵15覆蓋隧穿氧化層14；形成在浮柵15上方的層間絕緣層16，層間絕緣層16延伸至隧穿氧化層上方；覆蓋在層間絕緣層16上方的控制柵17。