[實用新型]大功率超薄整流芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720473628.2 | 申請日： | 2017-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN206789536U | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫偉光;施云峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰瑞科微電子（淮安）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 211700 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 大功率 超薄 整流 芯片 | ||
1.一種大功率超薄整流芯片，其特征在于：包括芯片（1）、金屬基板（2）、4個左側(cè)引腳（3）、4個右側(cè)引腳（4）和環(huán)氧樹脂塑封體（5），所述芯片（1）通過膠粘層（6）固定于金屬基板（2）上表面，所述芯片（1）與每個左側(cè)引腳（3）之間通過左金線（7）電連接，所述芯片（1）與每個右側(cè)引腳（4）之間通過右金線（8）電連接，所述芯片（1）、金屬基板（2）、左側(cè)引腳（3）的內(nèi)側(cè)端和右側(cè)引腳（4）的內(nèi)側(cè)端位于環(huán)氧樹脂塑封體（5）內(nèi)；
所述4個左側(cè)引腳（3）從前向后依次為第一左側(cè)引腳（31）、第二左側(cè)引腳（32）、第三左側(cè)引腳（33）和第四左側(cè)引腳（34），所述4個右側(cè)引腳（4）從前向后依次為第一右側(cè)引腳（41）、第二右側(cè)引腳（42）、第三右側(cè)引腳（43）和第四右側(cè)引腳（44）；
所述第一左側(cè)引腳（31）、第二左側(cè)引腳（32）、第三左側(cè)引腳（33）和第四左側(cè)引腳（34）裸露出環(huán)氧樹脂塑封體（5）部分均由左上水平部（9）、左折彎部（10）和左下水平部（11）首尾依次連接組成，所述第一右側(cè)引腳（41）、第二右側(cè)引腳（42）、第三右側(cè)引腳（43）和第四右側(cè)引腳（44）裸露出環(huán)氧樹脂塑封體（5）部分均由右上水平部（12）、右折彎部（13）和右下水平部（14）首尾依次連接組成；
所述第一左側(cè)引腳（31）和第三左側(cè)引腳（33）的左上水平部（9）長度相同，所述第一左側(cè)引腳（31）和第三左側(cè)引腳（33）的左折彎部（10）高度相同，所述第二左側(cè)引腳（32）和第四左側(cè)引腳（34）的左上水平部（9）長度相同，所述第二左側(cè)引腳（32）和第四左側(cè)引腳（34）的左折彎部（10）高度相同；
所述第一左側(cè)引腳（31）、第三左側(cè)引腳（33）的左上水平部（9）的長度大于第二左側(cè)引腳（32）、第四左側(cè)引腳（34）的左上水平部（9）的長度，所述第一左側(cè)引腳（31）、第三左側(cè)引腳（33）的左折彎部（10）的高度大于第二左側(cè)引腳（32）、第四左側(cè)引腳（34）的左折彎部（10）的高度；
所述第一右側(cè)引腳（41）和第三右側(cè)引腳（43）的右上水平部（12）長度相同，所述第一右側(cè)引腳（41）和第三右側(cè)引腳（43）的右折彎部（13）高度相同，所述第二右側(cè)引腳（42）和第四右側(cè)引腳（44）的右上水平部（12）長度相同，所述第二右側(cè)引腳（42）和第四右側(cè)引腳（44）的右折彎部（13）高度相同；
所述第一右側(cè)引腳（41）、第三右側(cè)引腳（43）的右上水平部（12）的長度大于第二右側(cè)引腳（42）、第四右側(cè)引腳（44）的右上水平部（12）的長度，所述第一右側(cè)引腳（41）、第三右側(cè)引腳（43）的右折彎部（13）的高度大于第二右側(cè)引腳（42）、第四右側(cè)引腳（44）的右折彎部（13）的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述第一左側(cè)引腳（31）、第三左側(cè)引腳（33）的左上水平部（9）長度與第二左側(cè)引腳（32）、第四左側(cè)引腳（34）的左上水平部（9）長度相差0.2~2mm，所述第一右側(cè)引腳（41）、第三右側(cè)引腳（43）的右上水平部（12）長度與第二右側(cè)引腳（42）、第四右側(cè)引腳（44）的右上水平部（12）長度相差0.2~2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：相鄰所述左側(cè)引腳（3）間隔為0.5mm~5mm，相鄰所述右側(cè)引腳（4）間隔為0.5mm~5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述左側(cè)引腳（3）的左上水平部（9）和左折彎部（10）的夾角與左折彎部（10）和左下水平部（11）的夾角均為90°~120°，所述右側(cè)引腳（4）的右上水平部（12）和右折彎部（13）的夾角與右折彎部（13）和右下水平部（14）的夾角均為90°~120°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述第一左側(cè)引腳（31）、第三左側(cè)引腳（33）的左折彎部（10）的高度與第二左側(cè)引腳（32）、第四左側(cè)引腳（34）的左折彎部（10）的高度相差0.5mm~1.3mm，所述第一右側(cè)引腳（41）、第三右側(cè)引腳（43）的右折彎部（13）的高度大于第二右側(cè)引腳（42）、第四右側(cè)引腳（44）的右折彎部（13）的高度相差0.5mm~1.3mm。
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