[實用新型]場效應管

有效

• 申請號: 201720466945.1
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN206878005U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 任留濤;李菲;禹久贏
• 申請（專利權）人: 上海超致半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙)31297
• 代理人: 趙朋曉

技術領域

本實用新型屬于電子元器件技術領域，具體來說涉及一種場效應管。

背景技術

場效應管是一種電壓放大器件，它具有三個電極：源極、柵極和漏極。場效應管包括結型場效應管（JFET）和金屬-氧化物場效應管（MOSFET）。現有的金屬-氧化物場效應管在加工過程中，其耐壓能力不是很穩定，糾其原因，在于源極上方的氧化層很容易在干法加工的過程中因為腐蝕或刮蹭而變薄，導致影響了場效應管的耐壓能力。因此，如何提供一種新型的場效應管，能夠有效保護氧化層在加工過程中免于腐蝕，保證場效應管的耐壓能力，是本領域技術人員需要研究的方向。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種場效應管，能夠有效保護氧化層在加工過程中免于腐蝕，保證場效應管的耐壓能力。

一種場效應管，包括：P型襯底；所述P型襯底上表面設有N型外延層，所述N型外延層上部設有柵極溝槽，所述N型外延層表面有氧化層，所述柵極溝槽內設有柵氧化層和多晶硅柵；所述溝槽兩側形成有P型阱和N型有源區，且所述N型有源區位于P型阱的上方，所述氧化層上部涂覆有防護層，所述防護層中設有連接至N型有源區的接觸孔。

通過采用這種技術方案：以柵極溝槽中的柵氧化層和多晶硅柵構成場效應管的柵極；以溝槽兩側P 型阱上的N 型有源區作為場效應管的源極；以N 型外延層下方的P 型襯底作為場效應管的漏極。通過在氧化層表面涂覆一定厚度的一層防護層，保護氧化層在后續干法加工步驟中避免腐蝕或刮蹭而影響到場效應管的耐壓能力。

優選的是,上述場效應管中: 所述防護層為硅膠層。

更優選的是,上述場效應管中: 所述P型襯底為單晶硅襯底。

與現有技術相比，本實用新型結構簡單，易于制備。能夠有效保護氧化層在加工過程中免于腐蝕，保證場效應管的耐壓能力。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明：

圖1為實施例1的結構示意圖；

各附圖標記與部件名稱對應關系如下：

1、P型襯底；2、N型外延層；3、P型阱；4、N型有源區；5、防護層；21、柵極溝槽；22、氧化層；23、多晶硅柵；24、柵氧化層。

具體實施方式

為了更清楚地說明本實用新型的技術方案，下面將結合附圖對本實用新型作進一步描述。

如圖1所示為現有技術的結構：

一種場效應管，包括：P型襯底1；所述P型襯底1上表面設有N型外延層2，所述N型外延層2上部設有柵極溝槽21，所述N型外延層2表面有氧化層22，所述柵極溝槽21內設有柵氧化層24和多晶硅柵23；所述溝槽21兩側形成有P型阱3和N型有源區4，且所述N型有源區4位于P型阱3的上方，所述氧化層22上部涂覆有防護層5，所述防護層5中設有連接至N型有源區4的接觸孔。其中，所述防護層5為硅膠層。所述P型襯底1為單晶硅襯底。

通過采用這種技術方案：本例中，柵極溝槽21中的柵氧化層24和多晶硅柵23構成場效應管的柵極；以柵極溝槽21兩側的P 型阱3上的N 型有源區4作為場效應管的源極；以N 型外延層2下方的P 型襯底1作為場效應管的漏極。通過在氧化層22表面涂覆一定厚度的一層防護層5，保護氧化層22在后續干法加工步驟中避免腐蝕或刮蹭而影響到場效應管的耐壓能力。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本領域技術的技術人員在本實用新型公開的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。本實用新型的保護范圍以權利要求書的保護范圍為準。