[實用新型]場效應管

有效

• 申請號: 201720466945.1
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN206878005U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 任留濤;李菲;禹久贏
• 申請（專利權）人: 上海超致半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙)31297
• 代理人: 趙朋曉

1.一種場效應管，其特征在于包括：P型襯底（1）；所述P型襯底（1）上表面設有N型外延層（2），所述N型外延層（2）上部設有柵極溝槽（21），所述N型外延層（2）表面有氧化層（22），所述柵極溝槽（21）內設有柵氧化層（24）和多晶硅柵（23）；所述溝槽（21）兩側形成有P型阱（3）和N型有源區（4），且所述N型有源區（4）位于P型阱（3）的上方，所述氧化層（22）上部涂覆有防護層（5），所述防護層（5）中設有連接至N型有源區（4）的接觸孔（51）。

2.如權利要求1所述場效應管，所述防護層（5）為硅膠層。

3.如權利要求2所述場效應管，所述P型襯底（1）為單晶硅襯底。