[實用新型]雷射剝離膜結構有效
| 申請號: | 201720454717.2 | 申請日: | 2017-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN207883676U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發明(設計)人: | 鄭憲徽;伍得;顏銘佑 | 申請(專利權)人: | 武漢市三選科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/28 | 分類號: | H01L23/28;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人: | 吳澤燊 |
| 地址: | 430077 湖北省武漢市東湖新技術開*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 雷射 剝離膜 本實用新型 離形片 剝離層 黏著層 薄化 基板 貼附 制程 封裝 損害 | ||
本實用新型提供一種雷射剝離膜結構,其依序包含一第一離形片、一雷射剝離層、一黏著層及一第二離形片。本實用新型之雷射剝離膜結構可直接貼附晶圓及基板,進行晶圓薄化,減化晶圓封裝的步驟,縮短晶圓制程周期,且減少對晶圓之損害。
技術領域
本實用新型涉及一種雷射剝離膜,特別是一種晶圓封裝級可使用之雷射剝離膜。
本實用新型還涉及貼合上述雷射剝離膜結構之晶圓。
背景技術
隨科技的發展,電子商品的需求日趨輕薄方便,其內部的集成電路也須同步地輕薄化。三維的集成電路系由直通系晶鉆孔在晶圓上鉆孔,將導線材料填入鉆孔中以形成導電的通路后,將晶圓薄化后并形成堆棧結構所完成。由于晶圓薄化后已非常脆弱,又須經過鉆孔的過程,因此如何能夠在自動化生產過程中,減少晶圓發生缺陷的情況則為一大挑戰。
近年,晶圓制程導入晶圓暫時貼合及雷射剝離之技術,晶圓暫時性貼合技術主要系將晶圓暫時性貼合在基板上,利用基板支撐晶圓,以協助抵抗晶圓在薄化時的機械沖力,以及后續的加工作業機械沖力。雷射剝離技術系在基板及晶圓之間設有一雷射剝離層,利用光及雷射剝離層材料之間的交互作用,照射適當的雷射光于晶圓結構后,該雷射剝離層的材料會因化性改變而自然剝離,因此在不施加外力的情況下便能將基板與晶圓分開,即減少對晶圓的損害。
一般雷射剝離技術的操作會先涂覆制備出一黏著層于一晶圓之上,另額外覆制備出一雷射剝離層于一基板之上,隨后將該黏著層與該雷射剝離層貼合后,以進行晶圓薄化,經照射雷射光后,該雷射剝離層會離化而能將基板剝離。
實用新型內容
然而,一般雷射剝離技術中,經由涂覆制備出晶圓堆棧層(上述之黏著層、雷射剝離層等)往往會有制程時間過長,延長制程周期的問題,另外,由于黏著層及雷射剝離層系分別涂覆所完成,因此接合時會有附著不佳的問題發生。
為了克服上述問題,本實用新型提供一種雷射剝離膜結構,其依序包含一第一離形片、一雷射剝離層、一黏著層及一第二離形片。
于較佳的實施例中,所述雷射剝離層為包含丙烯酸酯及近紅外光感光染料的膜層結構。
于較佳的實施例中,所述雷射剝離層之厚度為5um~0.5um。
于較佳的實施例中,所述雷射剝離層之厚度為4.5um,或為1.5um,或為0.7um。
于較佳的實施例中,所述黏著層為包含至少一種選自由熱固性樹脂、熱塑性樹脂或能量射線固化樹脂的群組層。
于較佳的實施例中,所述黏著層的厚度為65um~5um。
于較佳的實施例中,所述黏著層的厚度為為60um,或為20um,或為10um。
于較佳的實施例中,所述黏著層及雷射剝離層系經由預切割形成所預形狀。
本實用新型的另一個目的在于提供一種貼合雷射剝離膜結構之晶圓,其包含如請求項1之雷射剝離膜結構,其中第一離形片及該第二離形片剝離后,以該黏著層與一晶圓黏著,形成依序包含該雷射剝離層、該黏著層及該晶圓之結構。
于較佳的實施例中,所述雷射剝離層系暫時黏著于一基板上。
于較佳的實施例中,所述雷射剝離膜結構為經近紅外雷射光照射后其雷射剝離層會劣化可剝離的膜層結構。
本實用新型提供一種雷射剝離膜結構不同于一般雷射剝離技術,其可直接將第一及第二離形片剝離后,分別貼附基板及晶圓,將晶圓薄化經雷射照射后,將基板剝離,減少制程時間。相較于一般雷射剝離技術具有更佳的便利性,在操作上更為簡易,加速晶圓制程。
附圖說明
圖1為本實用新型之雷射剝離膜結構。
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