[實(shí)用新型]用于保護(hù)免于靜電放電的設(shè)備和集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720439282.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207320106U | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P·加利;S·阿薩納西烏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人： | 王茂華,董典紅 |
| 地址： | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 保護(hù) 免于 靜電 放電 設(shè)備 集成電路 | ||
1.一種用于保護(hù)免于靜電放電的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備在位于掩埋隔離層上的半導(dǎo)體薄膜中及其上制造，所述掩埋隔離層自身位于半導(dǎo)體阱的頂部上，所述設(shè)備包括：第一端子和第二端子；至少一個(gè)模塊，所述至少一個(gè)模塊包括至少一個(gè)MOS晶體管，所述至少一個(gè)MOS晶體管布置在所述第一端子與所述第二端子之間，耦合至所述第一端子和所述第二端子，并且使其柵極區(qū)域、其本體和所述半導(dǎo)體阱電耦合；至少一個(gè)阻容式電路，所述至少一個(gè)阻容式電路被配置成用于當(dāng)靜電放電發(fā)生在所述第一端子或所述第二端子上時(shí)使所述MOS晶體管導(dǎo)通，所述至少一個(gè)阻容式電路與所述晶體管的源極區(qū)域、柵極區(qū)域或漏極區(qū)域中的至少一者具有公共部分并且包括電容元件和電阻元件，所述電容元件的第一電極包括所述電阻元件并且所述電容元件的第二電極包括所述半導(dǎo)體薄膜的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述柵極區(qū)域包括第一多晶硅區(qū)域，并且所述模塊包括第一假柵極區(qū)域，所述第一假柵極區(qū)域位于所述晶體管的所述漏極區(qū)域的頂部上并且包括在第一絕緣層的頂部上形成的第二多晶硅區(qū)域，所述第二多晶硅區(qū)域電耦合至所述第一多晶硅區(qū)域并且包括第一部分，所述第一部分不具有任何金屬硅化物，所述模塊進(jìn)一步包括第一阻容式電路，所述第一阻容式電路包括電阻元件和電容元件，所述電阻元件包括所述第二多晶硅區(qū)域的所述第一部分，所述電容元件的第一電極包括所述第二多晶硅區(qū)域并且所述電容元件的第二電極包括所述漏極區(qū)域的位于所述第一絕緣層之下的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述柵極區(qū)域包括第一多晶硅區(qū)域，所述第一多晶硅區(qū)域位于絕緣層的頂部上并且包括不具有任何金屬硅化物的部分，并且所述模塊包括第二阻容式電路，所述第二阻容式電路包括電阻元件和電容元件，所述電阻元件包括所述第一多晶硅區(qū)域的所述部分，所述電容元件的第一電極包括所述第一多晶硅區(qū)域并且所述電容元件的第二電極包括襯底區(qū)域的位于所述絕緣層之下的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述柵極區(qū)域包括第一多晶硅區(qū)域，并且所述模塊包括第二假柵極區(qū)域，所述第二假柵極區(qū)域位于所述源極區(qū)域的頂部上并且包括位于第三絕緣層上的第三多晶硅區(qū)域，所述第三多晶硅區(qū)域電耦合至所述第一多晶硅區(qū)域并且包括不具有任何金屬硅化物的部分，所述模塊包括第三阻容式電路，所述第三阻容式電路包括電阻元件和電容元件，所述電阻元件包括所述第三多晶硅區(qū)域的所述部分，所述電容元件的第一電極包括所述第三多晶硅區(qū)域并且所述電容元件的第二電極包括所述源極區(qū)域面向所述第三絕緣層定位的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體阱包括比位于所述掩埋隔離層之下的層較輕摻雜的區(qū)域，并且所述模塊包括電耦合至所述晶體管的襯底的第四阻容式電路，所述第四阻容式電路具有電阻元件和電容器，所述電阻元件包括所述半導(dǎo)體阱的較輕摻雜區(qū)域，所述電容器的第一電極包括所述半導(dǎo)體阱的所述較輕摻雜區(qū)域并且所述電容器的第二電極包括位于所述掩埋隔離層的頂部上的所述半導(dǎo)體薄膜。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，包括在所述第一端子與所述第二端子之間并聯(lián)耦合的多個(gè)模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，對(duì)屬于單獨(dú)模塊的各個(gè)晶體管的所述阻容式電路進(jìn)行電耦合。
8.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路結(jié)合有根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的設(shè)備。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
