[實(shí)用新型]一種改進(jìn)的低溫多晶硅型陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720424688.5
• 申請(qǐng)日: 2017-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN206947347U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏振鐸;張亞男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏振鐸;張亞男
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所(普通合伙)35101
• 代理人: 陳建華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)的低溫多晶硅型陣列基板。

背景技術(shù)

目前廣泛應(yīng)用的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器，由彩膜基板、陣列基板及液晶層組成，通過陣列基板上的晶體管對(duì)平行板電容及存儲(chǔ)電容進(jìn)行充放電，控制液晶的偏轉(zhuǎn)，顯示圖像。

陣列基板的制造工藝，包括以下步驟：鍍膜、涂覆光刻膠、曝光、刻蝕、清洗等基本步驟。

現(xiàn)有的低溫多晶硅型陣列基板上的信號(hào)線設(shè)計(jì)，為粗細(xì)均勻的一條，由于遮光層的影響，層間絕緣層在化學(xué)氣相沉積時(shí)，容易在遮光層的位置積累電荷，影響化學(xué)氣相沉積成膜，化學(xué)氣相沉積在遮光層及其周邊位置容易形成多氧化硅核心，之后，物理氣相成積成信號(hào)線膜層，并刻蝕成信號(hào)線后，信號(hào)線厚度及寬度受異物核心影響異常偏薄偏細(xì)，在較長(zhǎng)工作時(shí)間后，信號(hào)線會(huì)產(chǎn)生較高的斷開風(fēng)險(xiǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的，是要提供一種改進(jìn)的低溫多晶硅型陣列基板，將遮光層附近的信號(hào)線局部加寬，降低信號(hào)線斷開風(fēng)險(xiǎn)。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，所述一種改進(jìn)的低溫多晶硅型陣列基板，所述低溫多晶硅型陣列基板包括上層的信號(hào)線、次上層的控制線、中層的多晶硅、底層的遮光層，將遮光層附近的信號(hào)線加寬至原來寬度的150%－200%；信號(hào)線加寬的范圍為：以遮光層的中心為中心點(diǎn)，信號(hào)線接口外側(cè)增加半個(gè)遮光層寬度至對(duì)稱的信號(hào)線另一端的距離。

本實(shí)用新型的有益效果是，由于加寬了遮光層附近的信號(hào)線，降低了此處信號(hào)線斷開的風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有低溫多晶硅型陣列基板上遮光層附近的信號(hào)線粗細(xì)均勻示意圖。

圖2為本實(shí)用新型加寬在遮光層附近的信號(hào)線示意圖。

圖3為圖2中截面示意圖Ａ－Ａ。

圖中：1.信號(hào)線，2.控制線，3.多晶硅，4.遮光層，5.信號(hào)線接口，6.透明電極，7.層間絕緣層，8.柵絕緣層，9.絕緣層，10.玻璃基底。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型所述一種改進(jìn)的低溫多晶硅型陣列基板，如圖1、2、3所示，所述低溫多晶硅型陣列基板包括上層的信號(hào)線１、次上層的控制線２、中層的多晶硅3、底層的遮光層4，將遮光層4附近的信號(hào)線1加寬至原來寬度的150%－200%；即由原來的寬度2.0微米增加為3.0至4.0微米；信號(hào)線1加寬的范圍為：以遮光層4的中心為中心點(diǎn)，信號(hào)線接口5外側(cè)增加半個(gè)遮光層4寬度至對(duì)稱的信號(hào)線另一端的距離。

圖2中信號(hào)線接口５外側(cè)增加半個(gè)遮光層寬度，即0.5Ｘ，（假設(shè)遮光層的寬度為Ｘ），以遮光層４的中心為中心點(diǎn)，兩側(cè)的信號(hào)線加寬的長(zhǎng)度相等。

圖2中還標(biāo)有透明電極6.

圖3中，從上至下依次排列為信號(hào)線1、層間絕緣層7、柵絕緣層8、多晶硅3、絕緣層9、遮光層4、玻璃基底10。

本實(shí)用新型的實(shí)施方式：將原來信號(hào)線寬度單一的掩膜板改變?yōu)榫植考訉挼难谀ぐ澹谖锢須庀喑练e后的信號(hào)線膜層覆蓋光刻膠，掩膜板曝光后，留下局部加寬的光刻膠，經(jīng)過刻蝕后，留下局部加寬的信號(hào)線。