[實用新型]一種改進的低溫多晶硅型陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720424688.5
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN206947347U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 夏振鐸;張亞男
• 申請（專利權）人: 夏振鐸;張亞男
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 廈門原創(chuàng)專利事務所(普通合伙)35101
• 代理人: 陳建華

1.一種改進的低溫多晶硅型陣列基板，其信號線經過遮光層處的層狀結構為，由上至下依次排列為：信號線、層間絕緣層、柵絕緣層、多晶硅、絕緣層、遮光層、玻璃基底，其特征是：所述遮光層附近的信號線寬度為3.0微米至4.0微米，所述寬度為3.0微米至4.0微米的信號線的長度為：以遮光層的中心為中心點，信號線接口外側增加半個遮光層寬度至對稱的信號線另一端的距離。