[實用新型]導電結構和電子組件

有效

• 申請號: 201720411520.0
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN206672926U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 馬竣人
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

技術領域

本實用新型涉及一種導電結構，尤其涉及一種堆疊的導電結構。

背景技術

在許多電子組件，例如:觸控面板、顯示器面板或集成電路(integrated circuit)等，經常設置有導線以傳輸信號。導線例如是由金屬材料構成的，可為單金屬結構或是多層金屬結構。單金屬結構的導線，例如鋁，經常作為薄膜晶體管的導電材料使用，但是抗電致遷移(electromigration)能力差。雖然改采用銅能夠解決電致遷移的問題，但是存在污染薄膜晶體管的缺點。多層金屬結構的導線，例如鉬/鋁/鉬，雖然也可用作導線材料，但是無法有效解決電致遷移的難題。因此，迫切需要一種能夠解決上述技術問題的解決方案。

實用新型內容

本實用新型提供一種導電結構，適用于各種電子組件。

本實用新型又提供一種電子組件，特性佳。

本實用新型的一種導電結構包括依序堆疊的下金屬層、中間金屬層以及上金屬層。中間金屬層具有第一側壁。上金屬層沿著第一側壁朝向下金屬層延伸且電性連接下金屬層。

在本實用新型的一實施例中，下金屬層可具有凸出于中間金屬層的第二側壁，且第二側壁與第一側壁構成連續平面。

在本實用新型的一實施例中，連續平面與下金屬層的下表面可為不平行。

在本實用新型的一實施例中，上金屬層的電子遷移率可小于中間金屬層的電子遷移率。

在本實用新型的一實施例中，下金屬層的電子遷移率可小于中間金屬層的電子遷移率。

在本實用新型的一實施例中，上金屬層和下金屬層可具有相同或不同材料。

本實用新型的一種電子組件包括基底層、根據上述的導電結構以及信號傳輸部。導電結構中的下金屬層位于基底層上。信號傳輸部位于基底層上，且信號傳輸部與導電結構電性連接。

在本實用新型的一實施例中，信號傳輸部可由上述導電結構所構成。

在本實用新型的一實施例中，電子組件可更包括位于導電結構與信號傳輸部之間的絕緣層。

在本實用新型的一實施例中，信號傳輸部可與絕緣層交替堆疊。

基于上述，由于導電結構中的上金屬層沿著中間金屬層的第一側壁朝向下金屬層延伸且電性連接下金屬層，得以免除電致遷移(electromigration)所造成的電子組件特性不佳以及可能污染電子組件的疑慮。

為讓本實用新型的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是包含本實用新型的導電結構的一種電子組件的剖面示意圖。

圖2是包含本實用新型的導電結構的一種薄膜晶體管的剖面示意圖。

附圖標記說明：

100、200：導電結構；

100A、200A：下金屬層；

100B、200B：中間金屬層；

100C、200C：上金屬層；

102、202：基底層；

104：絕緣層；

104A：接觸窗；

106：信號傳輸部；

204：柵極絕緣層；

206：半導體層；

1000、2000：電子組件；

BS：下表面；

D：漏極；

G：柵極；

S：源極；

S1：第一側壁；

S2：第二側壁；

TFT：薄膜晶體管。

具體實施方式

請參照圖1。電子組件1000包括基底層102、導電結構100以及信號傳輸部106。電子組件1000可列舉觸控面板、顯示器面板或集成電路(integrated circuit)等，但不限于此?；讓?02可為軟性基板或硬性基板。軟性基板的材料例如是高分子材料，其包括但不限于聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚亞苯基砜(PPSU)、聚乙烯亞胺(PEI)或者是聚亞酰胺(PI)。硬性基板的材料例如是玻璃或硅晶圓，但不以此為限。