[實用新型]晶圓吸附載盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720396061.3 | 申請日： | 2017-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN206733378U | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬英騰;謝啟祥;施英汝 | 申請（專利權(quán)）人： | 環(huán)球晶圓股份有限公司 |
| 主分類號： | B28D7/04 | 分類號： | B28D7/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽,高翠花 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 吸附 | ||
1.一種晶圓吸附載盤，其特征在于，包含：
一盤體，包括相反的一底面與一頂面、一自所述底面的周緣延伸至所述頂面的周緣的圍繞面，及一凹陷形成在所述圍繞面一側(cè)的溝槽，所述溝槽延伸至所述頂面以在所述頂面形成一缺口；及
多個吸孔，貫穿盤體的所述底面與所述頂面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述晶圓吸附載盤吸附一晶圓時，所述盤體的溝槽的缺口被所述晶圓覆蓋而使所述晶圓的部分側(cè)緣鄰近所述溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述盤體的溝槽的截面為半圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，還包含一自所述盤體的底面徑向朝外凸伸的底盤、一貫穿所述盤體與所述底盤的第一鎖固孔，及多個貫穿所述底盤的第二鎖固孔，所述吸孔貫穿所述盤體與所述底盤且所述盤體的溝槽是自所述頂面延伸至所述底盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述盤體與所述底盤呈圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述盤體還包括兩形成于所述圍繞面且分別自所述溝槽的兩側(cè)緣反向延伸的平口部，晶圓的所述部分側(cè)緣凸出所述平口部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述溝槽的截面積占所述盤體總面積的4％至6％。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓吸附載盤，其特征在于，所述吸孔中的其中部分吸孔鄰近所述溝槽且以所述溝槽中心為基準(zhǔn)成等間隔環(huán)狀排列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于環(huán)球晶圓股份有限公司，未經(jīng)環(huán)球晶圓股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720396061.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
