[實(shí)用新型]一種狹縫式鍍膜設(shè)備

有效

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• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN206828628U
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬曉亮
• 申請（專利權(quán)）人: 江門億都半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205
• 代理人: 梁嘉琦

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及真空鍍膜設(shè)備，特別是一種狹縫式鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的鍍膜生產(chǎn)設(shè)備，采用真空磁控CVD氣相沉積鍍膜機(jī)理，目前鍍膜設(shè)備為了獲得厚膜均勻的高質(zhì)量鍍膜層，在靶面前方設(shè)置了輔助鈦條格柵，該鈦條格柵可調(diào)節(jié)其通過的靶原子束密度，同時為保證靶面的磁通量相同（靶面磁通量受磁鐵的制作工藝及磁場疊加等因素），需人為調(diào)節(jié)其磁場至靶面的距離，由于磁鐵是固定在一塊15mm厚的鐵板上，區(qū)部調(diào)節(jié)其距離，勢必影響靶面其他部位的磁通量變化，所以鍍膜工藝比較難調(diào)整。鈦條格柵有多條，均固定于靶材的正面，靶原子在受AR+激發(fā)后，在飛向基板的過程中，有相當(dāng)一部分會沉積于鈦條上，鈦條尺寸由5mm極端可增加至15mm，嚴(yán)重影響膜層的沉積速率，要想繼續(xù)作業(yè)，只能增加靶面的功率和靶電壓；且被激發(fā)的靶原子還會繼續(xù)轟擊該鈦條，導(dǎo)致掉粉產(chǎn)塵，引起ITO孔增加等質(zhì)量異常。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供既能獲得膜厚均勻的高質(zhì)量膜層、又能避免靶原子在鈦條上沉積而影響膜層沉積速率的一種狹縫式鍍膜設(shè)備。

本實(shí)用新型解決其問題所采用的技術(shù)方案是：

一種狹縫式鍍膜設(shè)備，包括真空腔，所述真空腔內(nèi)設(shè)置有等待鍍膜的基片和濺射裝置，所述濺射裝置包括兩個或以上的磁鐵和極板，所述磁鐵的一側(cè)固定于極板上，另一側(cè)連接一背板，所述背板上設(shè)置有一靶層，所述基片與靶層正對設(shè)置，所述基片與靶層之間設(shè)置有濺射通過板，所述濺射通過板中心設(shè)置有供靶層上的靶原子通過的狹縫，所述狹縫包括沿磁體排列方向設(shè)置于狹縫兩端的高磁通量開口和設(shè)置于狹縫中部的低磁通量開口，所述高磁通量開口的開口面積比低磁通量開口大。

本實(shí)用新型采用的一種狹縫式鍍膜設(shè)備，在基片與靶層之間設(shè)置有濺射通過板，濺射通過板上設(shè)置有狹縫，狹縫包括設(shè)置于狹縫兩端的高磁通量開口和設(shè)置于狹縫中部的低磁通量開口，本實(shí)用新型取消了現(xiàn)有技術(shù)中的鈦條格柵，通過狹縫來控制膜層的均一性，即對應(yīng)靶面磁通量高的地方設(shè)置高磁通量開口，增加靶原子的通過量，對應(yīng)靶面磁通量低的地方設(shè)置開口面積比高磁通量開口小的低磁通量開口，減少靶原子的通過量，從而達(dá)到去峰添谷的平線效果，避免靶原子在鈦條上沉積而影響膜層沉積速率，普通80歐姆的玻璃用鈦條格柵輔助鍍膜時靶面功率需要10.2kw，靶面電壓約為385v；改用狹縫濺射通過板后，靶面總功率降至8.5kw左右，靶面電壓降至350v左右；經(jīng)以上統(tǒng)計(jì)，靶材的壽命增加約為15%左右；濺射耗能降低約10%。

具體地，所述狹縫的長度為1400mm，所述高磁通量開口的寬度為101mm，低磁通量開口的寬度為76mm至97mm。

進(jìn)一步，所述基片連接地，所述極板連接直流電源的負(fù)極。

進(jìn)一步，還包括真空泵，所述真空泵與真空腔連接。

進(jìn)一步，還包括一工作氣體供應(yīng)裝置，所述工作氣體供應(yīng)裝置與真空腔連接。

具體地，所述極板為鐵板，所述背板為銅背板。

具體地，相鄰磁鐵之間的極性相反。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

圖1是本實(shí)用新型狹縫式鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理圖；

圖2是本實(shí)用新型濺射通過板的結(jié)構(gòu)視圖；

圖3是本實(shí)用新型狹縫式鍍膜設(shè)備的工作過程原理圖。

具體實(shí)施方式

參照圖1所示，本實(shí)用新型的一種狹縫式鍍膜設(shè)備，包括真空腔1，所述真空腔內(nèi)設(shè)置有等待鍍膜的基片2和濺射裝置3，所述濺射裝置3包括兩個或以上的磁鐵31和極板32，相鄰磁鐵31之間的極性相反，所述磁鐵31的一側(cè)固定于極板32上，另一側(cè)連接一背板33，所述背板33上設(shè)置有一靶層34，所述基片2與靶層34正對設(shè)置。其中所述極板32為鐵板，所述背板33為銅背板，所述基片2連接地，所述極板32連接直流電源的負(fù)極。

還包括用于抽出真空腔1內(nèi)空氣的真空泵5和用于向真空腔1輸送氬氣和氧氣的工作氣體供應(yīng)裝置6，所述真空泵5和工作氣體供應(yīng)裝置6分別與真空腔1連接。

所述基片2與靶層34之間設(shè)置有濺射通過板4。參照圖2所示，所述濺射通過板4中心設(shè)置有供靶層34上的靶原子通過的狹縫41，所述狹縫41包括沿磁體排列方向設(shè)置于狹縫41兩端的高磁通量開口42和設(shè)置于狹縫41中部的低磁通量開口43，所述高磁通量開口42的開口面積比低磁通量開口43大。

具體地，所述狹縫41的長度為1400mm，所述高磁通量開口42的寬度為101mm，低磁通量開口43的寬度為76mm至97mm。