[實(shí)用新型]一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720318195.3
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN206835065U
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 季輕舟;雒寶花;張立博;張冰;李飛強(qiáng);王勇
• 申請（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號: H03M7/00
• 分類號: H03M7/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200
• 代理人: 李宏德

1.一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括四個雙冗余輸出驅(qū)動PMOS晶體管和四個VDD分壓多晶電阻，以及一個輸出多晶電阻Ro；

第一PMOS晶體管Mp1的襯底與源極相連并連接電源電壓VDD，漏極與第二PMOS晶體管Mp2源極和襯底相連，柵極與第三分壓多晶電阻R₃一端相連；

第二PMOS晶體管Mp2漏極與輸出多晶電阻Ro一端相連并與第四PMOS晶體管Mp4漏極相連，柵極與第一分壓多晶電阻R₁一端相連；

第三PMOS晶體管Mp3襯底與源極相連并接電源電壓VDD，漏極與第四PMOS晶體管Mp4源極和襯底相連，柵極與第四分壓多晶電阻R₄一端相連；

第四PMOS晶體管Mp4漏極與輸出多晶電阻Ro一端相連，柵極與第二分壓多晶電阻R₂一端相連；

第一分壓多晶電阻R₁另一端和第二分壓多晶電阻R₂另一端相連，并與一個4線-16線譯碼器B輸出端YBi相連；

第三分壓多晶電阻R₃另一端和第四分壓多晶電阻R₄另一端相連，并與一個4線-16線譯碼器A輸出端YAi相連；

輸出多晶電阻Ro的另一端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二PMOS晶體管Mp2和第四PMOS晶體管Mp4設(shè)置在單獨(dú)N阱內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二PMOS晶體管Mp2和第四PMOS晶體管Mp4的柵極分別串聯(lián)的第一分壓多晶電阻R₁和第二分壓多晶電阻R₂的阻值相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一分壓多晶電阻R₁與輸出多晶電阻R_o的阻值比不小于13.2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一PMOS晶體管Mp1和第三PMOS晶體管Mp3的柵極分別串聯(lián)的第三分壓多晶電阻R₃和第四分壓多晶電阻R₄的阻值相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，第三分壓多晶電阻R₃的阻值不大于4.8kΩ。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止單點(diǎn)失效的雙冗余譯碼驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，四個雙冗余輸出驅(qū)動PMOS晶體管均采用蛇形結(jié)構(gòu)晶體管。