[實用新型]離子注入跑片機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720296976.7
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN206672954U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋銀海;錢鋒;賈銀海;姚飛
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞帕薩電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/266;H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44351
• 代理人: 韓紹君

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及離子注入跑片機(jī)，特別涉及一種離子注入跑片機(jī)。

背景技術(shù)

硅太陽能電池在被暴露至來自太陽的太陽輻射時產(chǎn)生電能。該輻射與硅原子交互作用并形成電子和空穴，所述電子和空穴遷移到硅本體中的p離子摻雜區(qū)和n離子摻雜區(qū)，并在摻雜區(qū)之間產(chǎn)生電壓差和電流。取決于用途，太陽能電池已經(jīng)與集中元件集成以提高效率。太陽輻射使用將所述輻射引導(dǎo)至活性光伏材料的一個或更多部分的集中元件來積累和聚焦。盡管有效，但是這些太陽能電池仍有很多限制。

僅僅作為一個實例，太陽能電池依賴諸如硅的起始材料。這種硅通常使用多晶硅(即多晶體的硅)和/或多晶硅材料制成。這些材料通常難以制造。多晶硅電池通常通過制造多晶硅板來形成。盡管這些板可以有效地形成，但是它們不具備高效太陽能電池的最佳性能。單晶硅具有高級太陽能電池的適當(dāng)性能。然而，這種單晶硅價格昂貴，還難以按照高效且成本有效的方式用于太陽能用途。此外，多晶硅材料和單晶硅材料在傳統(tǒng)制造過程中均遭受稱為“刮線損失"的材料損失，其中，出于鑄件或生長晶錠并將材料單片化成晶片形式的因素，鋸割工藝消除起始材料的多達(dá)40％甚至達(dá)到60％。這是制備用作太陽能電池的薄多晶硅或單晶硅板的非常低效的方法。

通常，薄膜太陽能電池通過使用較少的硅材料是價格較不昂貴的，但是它們的非晶或多晶結(jié)構(gòu)與由多晶磕襯底制成的更昂貴的體硅相比效率較低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質(zhì)量好的離子注入跑片方法。

為解決現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實用新型提供的技術(shù)方案是：一種離子注入跑片方法，包括以下步驟：

A)將多個硅片排列成一列或n列放入硅片托盤上，每列硅片的排放方向是硅片托盤的行進(jìn)方向，每兩個硅片之間具有一定的間隙，每兩個硅片之間的間隙相同，每列硅片之間垂直于硅片托盤行進(jìn)方向的間隔大于一個硅片的橫向尺寸，在硅片的正上方蓋上一個可以切換位置的隔板，在隔板上間隔設(shè)置有兩排或2n排供不同離子通過的通孔，兩排或2n排通孔的位置在硅片行進(jìn)方向上相互交叉錯開；

B)多個載有硅片的硅片托盤同時由多個輸送帶裝置從進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)輸送至緩沖區(qū)，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤從上至下逐個依次輸送至水平輸送裝置上，水平輸送裝置的輸送帶的中部設(shè)置離子注入設(shè)備，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤輸送出的個數(shù)達(dá)到一定個數(shù)時，輸送帶裝置再一次性輸送與送出的托盤個數(shù)相同的硅片托盤從進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)到緩沖區(qū)內(nèi)；離子注入設(shè)備將其中一種離子從隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盤上的硅片上；

C)硅片托盤上的硅片經(jīng)過離子注入設(shè)備注入其中一種離子后輸送到切換區(qū)，所述切換區(qū)內(nèi)由下至上依次設(shè)有多個用于疊放已經(jīng)注入其中一種離子的硅片托盤的托盤支架、及將水平輸送裝置輸送過來的硅片托盤逐個輸送至托盤支架上的垂直皮帶輸送裝置、及將水平輸送裝置輸送過來的硅片托盤逐個推向垂直皮帶輸送裝置上的水平推動裝置；所述切換區(qū)內(nèi)的硅片托盤存放滿料后，停止水平輸送裝置送料；

D)所述切換區(qū)內(nèi)還設(shè)有用于水平推動隔板、使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方的隔板孔切換裝置；當(dāng)水平輸送裝置反向輸送硅片托盤時，隔板孔切換裝置將硅片托盤上的隔板推向另一側(cè)邊，使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方，

E)硅片托盤反向輸送至離子注入設(shè)備的位置時，離子注入設(shè)備將另一種離子從隔板的另一排通孔注入硅片托盤上的硅片上；由于隔板上的兩排或n排通孔是在硅片行進(jìn)方向上相互錯開的，因此，兩種離子均可以注入到硅片上而不會重合；

F)硅片托盤上的硅片注入兩種離子后，輸送回緩沖區(qū)，緩沖區(qū)的垂直皮帶輸送裝置逐個將水平輸送裝置輸送的硅片托盤輸送至緩沖區(qū)內(nèi)，當(dāng)緩沖區(qū)的上方放入了足夠個數(shù)的托盤時，輸送帶裝置將多個托盤同時輸送出至進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)，完成離子注入。

作為本實用新型離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，步驟C和步驟E所述的離子為n﹢型離子或p﹢型離子，如果步驟C注入的離子是n﹢型離子，則步驟E注入的離子是p﹢型離子，如果步驟C注入的離子是p﹢型離子，則步驟E注入的離子是n﹢型離子。

作為本實用新型離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，所述硅片托盤輸送入和輸送出時，所述緩沖區(qū)和所述切換區(qū)內(nèi)均由真空裝置抽真空，所述緩沖區(qū)和所述切換區(qū)在硅片托盤輸送入和輸送出時的真空度一致。

作為本實用新型離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，所述輸送帶裝置每次輸送入和輸送出所述硅片托盤的個數(shù)為5個。