[實用新型]離子注入跑片機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720296976.7
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN206672954U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋銀海;錢鋒;賈銀海;姚飛
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞帕薩電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/266;H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市智圈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44351
• 代理人: 韓紹君

1.一種離子注入跑片機，其特征在于，包括水平進出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)、單個托盤水平傳送區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)，所述單個托盤水平傳送區(qū)的中部設(shè)有離子注入工位，所述水平進出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的底部均設(shè)有真空發(fā)生裝置，所述水平進出傳送區(qū)內(nèi)從上而下依次間隔設(shè)有五條可相互調(diào)節(jié)間距的水平皮帶傳送線，五條水平皮帶傳送線同時輸送五個硅片托盤，五個所述硅片托盤由一帶腳輪的推車同時推入五條所述水平皮帶傳送線上；所述硅片托盤正向依次經(jīng)過所述水平進出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)、單個托盤水平傳送區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)，在所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)進行離子注入孔切換動作后反向依次經(jīng)過單個托盤水平傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)和所述水平進出傳送區(qū)；所述硅片托盤正向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子與所述硅片托盤反向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述硅片托盤上設(shè)有多條平行設(shè)置的滑軌，多條所述滑軌共同安裝有一隔板，所述隔板可以沿所述滑軌移動，所述隔板上具有兩排離子注入孔，兩排離子注入孔的位置相互交叉錯開，兩排所述離子注入孔的錯位距離為10μm～50μm，所述隔板的寬度小于所述硅片托盤的寬度，所述硅片托盤上平面中部排列設(shè)置有若干片硅片，所述隔板的兩排離子注入孔交替擋在所述硅片的正上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述水平進出傳送區(qū)的一側(cè)設(shè)有第一電磁離合器，所述第一電磁離合器控制五條所述水平皮帶傳送線調(diào)節(jié)間距，五條所述水平皮帶傳送線上的硅片托盤全部到位后，五條所述水平皮帶傳送線開始輸送硅片托盤，如果有其中一條水平皮帶傳送線的硅片托盤沒有到位，其它四條水平皮帶傳送線也不能輸送硅片托盤。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的前后兩側(cè)均設(shè)有第二電磁離合器，所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的空腔前后側(cè)壁上分別設(shè)有五條硅片托盤緩沖輸送線和兩條異形同步帶垂直輸送裝置，兩條所述異形同步帶垂直輸送裝置上的同步帶上間隔設(shè)有多個將硅片托盤緩沖輸送線上的硅片托盤取出送入所述單個托盤水平傳送區(qū)的取料片；所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的前后兩側(cè)均設(shè)有縮回干擾裝置，所述異形同步帶垂直輸送裝置取硅片托盤緩沖輸送線上的硅片托盤時，所述縮回干擾裝置控制干擾桿縮回；所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的底部設(shè)有將取料片上的硅片托盤推入所述單個托盤水平傳送區(qū)上的第一水平推料氣缸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述單個托盤水平傳送區(qū)內(nèi)設(shè)有兩組水平輸送皮帶，離子注入工位位于兩組所述水平輸送皮帶之間，離子注入工位的正下方設(shè)有法拉第杯。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的前側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁上均設(shè)有異形同步帶垂直取料裝置，所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的底部設(shè)有將單個托盤水平傳送區(qū)輸送的硅片托盤水平推入異形同步帶垂直取料裝置的第二水平推料氣缸、及將異形同步帶垂直取料裝置上的硅片托盤推向單個托盤水平傳送區(qū)的第三水平推料氣缸，所述第三水平推料氣缸推動硅片托盤進入單個托盤水平傳送區(qū)時，所述硅片托盤上的隔板推向硅片托盤的另一側(cè)，隔板上的另一排離子注入孔擋在所述硅片的正上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入跑片機，其特征在于，所述硅片托盤正向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子為n﹢型離子或p﹢型離子，所述硅片托盤反向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子n﹢型離子或p﹢型離子。