[實用新型]一種隔離層及晶圓組件有效
| 申請號: | 201720286958.0 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN206672906U | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 王志偉 | 申請(專利權)人: | 寧波比亞迪半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 地址: | 315800 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 隔離 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及晶圓領域,尤其涉及一種隔離層及晶圓組件。
背景技術
當今時代,集成電路應用于各種數碼電子產品中,如手機、電腦、平板電腦,硅晶片作為一種半導體,其在集成電路中的作用十分關鍵,晶圓即硅晶片作為一種半導體功率器件,由于其功率特性的要求,一般都要求在正面加工完成后,將晶圓減薄到指定的厚度,然后將背面制作金屬電極,一般的背面金屬電極的最外層為銀,薄片晶圓的包裝盒一般采用圓形的包裝方式,將緩沖材料和隔離紙墊層在晶圓的兩側,形成保護。由于晶圓背面的最外層金屬銀的活性很強,非常容易被氧化,并且很容易和氯離子反應產生白斑,嚴重影響后續的加工和使用,而且白斑在隔離紙導電的情況下還會發生原電池反應,從而導致白斑擴散。一般的針對白斑,采用的方法:選用絕緣的隔離紙以防止被氧化的金屬銀白斑擴散,但是這種做法同樣存在問題,雙面均是絕緣層,則會導致隔離紙表面產生靜電積累,最終將導致造成晶圓器件損傷。
實用新型內容
為解決現有技術晶圓白斑擴散以及靜電積累對晶圓器件造成損害的技術問題,本實用新型提供了一種隔離層及晶圓組件。
本實用新型提供的一種隔離層,所述隔離層包括第一隔離層和第二隔離層,所述第一隔離層為絕緣層,所述絕緣層設有絕緣介質,所述第二隔離層為導電層,所述導電層設有導電介質。
作為本實用新型的一種優化方案,所述導電介質為導電碳粉,所述絕緣介質為聚乙烯。
更進一步的,所述隔離層的第一隔離層的電阻率為1E9-1E22Ω·cm,所述隔離層的第二隔離層的電阻率為1E-1E3Ω·cm。
進一步的,所述隔離層的厚度為50-300um。
本實用新型提供了一種晶圓組件,所述晶圓組件包括晶圓本體、至少2個隔離層,所述隔離層為上述實施例中任意一項所述的隔離層,所述晶圓本體包括第一晶圓面、第二晶圓面,所述隔離層對所述晶圓本體形成保護,防止所述晶圓本體受損。
進一步的,所述第一晶圓面與隔離層的第一隔離層接觸,所述第二晶圓面與另一個隔離層的第二隔離層接觸。
有益效果:本實用新型提供了一種隔離層及具有該隔離層的晶圓組件,所述隔離層包括第一隔離層和第二隔離層,通過在所述第一隔離層上設置絕緣介質聚乙烯,避免晶圓表面產生白斑以及白斑發生原電池反應而發生白斑擴散;通過在所述第二隔離層上設置導電介質,可以將所述晶圓表面的靜電及時吸收,防止靜電積累,從而導致對晶圓表面造成損傷。所述隔離層對所述晶圓形成有效地隔離保護,保證所述晶圓不遭受靜電損傷,提高了晶圓產品的穩定性和安全性。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例提供的隔離層示意圖。
圖2為本實用新型實施例提供的晶元組件的包裝盒示意圖。
附圖標記說明
晶圓組件1;隔離層11;第一隔離層111;第二隔離層112;晶圓本體12;第一晶圓面121;第二晶圓面122;緩沖層3;包裝盒4。
具體實施方式
為了使本實用新型所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
下面詳細描述本實用新型的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,旨在用于解釋本實用新型,而不能理解為對本實用新型的限制。
在本實用新型的描述中,需要理解的是,術語“橫向”、“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系,僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本實用新型的限制。
此外,術語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本實用新型的描述中,“多個”的含義是至少兩個,例如兩個、三個等,除非另有明確具體的限定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





