[實用新型]一種隔離層及晶圓組件有效
| 申請號： | 201720286958.0 | 申請日： | 2017-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN206672906U | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 王志偉 | 申請（專利權）人： | 寧波比亞迪半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 隔離 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種隔離層，其特征在于，所述隔離層包括第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層為絕緣層，所述絕緣層設有絕緣介質，所述第二隔離層為導電層，所述導電層設有導電介質。
2.根據權利要求1所述的隔離層，其特征在于，所述導電介質為導電碳粉，所述絕緣介質為聚乙烯。
3.根據權利要求1所述的隔離層，其特征在于，所述隔離層的第一隔離層的電阻率為1E9-1E22Ω·cm，所述隔離層的第二隔離層的電阻率為1E-1E3Ω·cm。
4.根據權利要求1所述的隔離層，其特征在于，所述隔離層的厚度為50-300um。
5.一種晶圓組件，其特征在于，所述晶圓組件包括晶圓本體、至少2個用于對所述晶圓本體形成保護的隔離層，所述隔離層為權利要求1-4所述的隔離層，所述晶圓本體包括第一晶圓面、第二晶圓面。
6.根據權利要求5所述的晶圓組件，其特征在于，所述第一晶圓面與隔離層的第一隔離層接觸，所述第二晶圓面與另一個隔離層的第二隔離層接觸。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
