[實用新型]半導體晶圓處理設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720275498.1
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN206602101U
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發(fā)明（設計）人: 溫子瑛;王吉
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 無錫中瑞知識產權代理有限公司32259
• 代理人: 倪歆晨

技術領域

本實用新型涉及半導體晶圓或相似工件的表面處理領域，特別設計一種用于化學處理半導體晶圓表面，以及清潔、蝕刻及其它類似處理的設備。

背景技術

在利用晶圓生產集成電路的過程中，需要經(jīng)過多次的清洗、蝕刻等處理，上述處理的方法主要可以分為干法和濕法，其中濕法處理是現(xiàn)有技術中應用最廣泛的方法，現(xiàn)有的濕法工藝主要包括化學溶液浸沒以及噴射法兩種。

由本案申請人申請的公開號為CN103187338A的發(fā)明專利公開了一種模塊化半導體處理設備，其包括半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊和電氣控制模塊。所述半導體處理模塊包括用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括一個或多個供流體進入所述微腔室的入口和一個或多個供流體排出所述微腔室的出口。所述流體傳送模塊用于將各種流體通過管道和所述微腔室出入口引導至所述流體承載模塊或所述微腔室，所述電氣控制模塊用于控制所述半導體處理腔室和所述流體傳送模塊。所述半導體處理裝置具有體積較小、結構簡單、組裝方便靈活、組件更換方便等優(yōu)點。但是由于其僅僅具有半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊和電氣控制模塊，所以其能夠處理的濕法工藝有限，而現(xiàn)有的濕法工藝在不斷進步，對濕法處理的流體的溫度，甚至流體的種類(不僅僅限于液體和/或氣體，還包括氣液混合流體等)都提出了更高的要求。

實用新型內容

本實用新型提供一種半導體晶圓處理設備，其對于半導體晶圓的濕法處理工藝具有更廣泛的適應性。

為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種半導體晶圓處理設備，其技術方案為：包括：半導體處理模塊、流體承載模塊、流體傳送模塊和電氣控制模塊，

所述半導體處理模塊包括用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括一個或多個供流體進入所述微腔室的入口和一個或多個供流體排出所述微腔室的出口；

所述流體承載模塊包括多個儲流罐；

所述流體傳送模塊包括多個流體傳送裝置及流體通道選擇裝置，所述多個儲流罐與微腔室的入口和出口分別通過管道與流體通道選擇裝置連接；

所述電氣控制模塊與其余各模塊電連接，用于控制整個設備的運轉；

所述半導體晶圓處理設備還包括流體處理模塊。

采用上述結構的，可以通過流體處理模塊對流體進行預處理，對用于處理半導體晶圓的流體進行在線預處理。

進一步的，所述流體處理模塊包括氣液混合裝置，所述氣液混合裝置設置在儲流罐與微腔室的入口之間的管道上。以便實現(xiàn)氣態(tài)流體和液態(tài)流體混合后處理半導體晶圓。

進一步的，所述半導體處理模塊為兩個，分別位于所述半導體晶圓處理設備頂部的兩側。采用合理的結構設計，使得同一設備上同時進行兩片晶圓的處理，提高了處理效率。

進一步的，所述兩個半導體處理模塊直接設置有所述流體處理模塊的臭氧發(fā)生裝置，所述臭氧發(fā)生裝置的出口與氣液混合裝置的氣體入口連接、或者所述臭氧發(fā)生裝置的出口與微腔室的入口直接連接。以便于在線生成臭氧直接對晶圓進行處理，或者在線生成臭氧溶液對晶圓進行處理。

進一步的，所述流體處理模塊還包括能夠對流體進行加熱和/或冷卻的加熱裝置和/或冷卻裝置。

進一步的，其特征在于，包括：第一支撐單元、可移動單元、第二支撐單元、第三支撐單元及多根支柱；其特征在于：

所述第一支撐單元包括：水平設置的第一支撐板，及固定設置在第一支撐板上方的支撐環(huán)；

所述可移動單元通過所述第一支撐單元支撐，包括：

驅動裝置；

移動座：所述移動座呈圓柱狀，移動座的上部和下部分別設有環(huán)狀的上凹環(huán)及下凹環(huán)，所述移動座的下凹環(huán)與所述支撐環(huán)互相可滑動地套合，形成一個套合空間，所述驅動裝置設置在所述套合空間內，且分別與所述移動座的下方以及第一支撐板的上方固定連接；所述移動座、支撐環(huán)、以及移動座的上凹環(huán)和下凹環(huán)的圓心同軸；

以及下腔室：所述下腔室設置在移動座的上凹環(huán)內；

所述第二支撐單元包括：水平設置的第二支撐板，所述第二支撐板與第一支撐板之間通過所述多根支柱固定連接；

及上腔室，所述上腔室通過開設在第二支撐板上的穿孔定位且由第二支撐板支撐，所述上腔室的位置與下腔室對應，兩者結構上經(jīng)過合理設計，上腔室與下腔室接觸時形成處理半導體晶圓的微腔室；

所述第三支撐單元經(jīng)結構設計以施加壓力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室，包括：第三支撐板，所述第三支撐板通過所述多根支柱固定連接，且具有施加壓力至所述上腔室的多個螺釘、加強結構或可移動零件。