[實用新型]半導體晶圓處理設備

有效

• 申請號: 201720275498.1
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN206602101U
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 溫子瑛;王吉
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 無錫中瑞知識產權代理有限公司32259
• 代理人: 倪歆晨

1.一種半導體晶圓處理設備，包括：半導體處理模塊、流體承載模塊、流體傳送模塊和電氣控制模塊，

所述半導體處理模塊包括用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括一個或多個供流體進入所述微腔室的入口和一個或多個供流體排出所述微腔室的出口；

所述流體承載模塊包括多個儲流罐；

所述流體傳送模塊包括多個流體傳送裝置及流體通道選擇裝置，所述多個儲流罐與微腔室的入口和出口分別通過管道與流體通道選擇裝置連接；

所述電氣控制模塊與其余各模塊電連接，用于控制整個設備的運轉；

其特征在于：

所述半導體晶圓處理設備還包括流體處理模塊。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，所述流體處理模塊包括氣液混合裝置，所述氣液混合裝置設置在儲流罐與微腔室的入口之間的管道上。

3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，所述半導體處理模塊為兩個，分別位于所述半導體晶圓處理設備頂部的兩側。

4.根據權利要求1或2所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，所述兩個半導體處理模塊直接設置有所述流體處理模塊的臭氧發生裝置，所述臭氧發生裝置的出口與氣液混合裝置的氣體入口連接、或者所述臭氧發生裝置的出口與微腔室的入口直接連接。

5.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，所述流體處理模塊還包括能夠對流體進行加熱和/或冷卻的加熱裝置和/或冷卻裝置。

6.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，包括：第一支撐單元、可移動單元、第二支撐單元、第三支撐單元及多根支柱；其特征在于：

所述第一支撐單元包括：水平設置的第一支撐板，及固定設置在第一支撐板上方的支撐環；

所述可移動單元通過所述第一支撐單元支撐，包括：

驅動裝置；

移動座：所述移動座呈圓柱狀，移動座的上部和下部分別設有環狀的上凹環及下凹環，所述移動座的下凹環與所述支撐環互相可滑動地套合，形成一個套合空間，所述驅動裝置設置在所述套合空間內，且分別與所述移動座的下方以及第一支撐板的上方固定連接；所述移動座、支撐環、以及移動座的上凹環和下凹環的圓心同軸；

以及下腔室：所述下腔室設置在移動座的上凹環內；

所述第二支撐單元包括：水平設置的第二支撐板，所述第二支撐板與第一支撐板之間通過所述多根支柱固定連接；

及上腔室，所述上腔室通過開設在第二支撐板上的穿孔定位且由第二支撐板支撐，所述上腔室的位置與下腔室對應，兩者結構上經過合理設計，上腔室與下腔室接觸時形成處理半導體晶圓的微腔室；

所述第三支撐單元經結構設計以施加壓力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室，包括：第三支撐板，所述第三支撐板通過所述多根支柱固定連接，且具有施加壓力至所述上腔室的多個螺釘、加強結構或可移動零件。

7.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于，所述各模塊通過機架設置在設備內部，所述機架外圍設有機殼。

8.根據權利要求7所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于：所述電氣控制模塊通過隔板與其余模塊隔離。

9.根據權利要求8所述的一種半導體晶圓處理設備，其特征在于：所述隔板和/或機殼上設有若干排風裝置。