[實(shí)用新型]一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720273705.X | 申請(qǐng)日: | 2017-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206538474U | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊衛(wèi)民;劉海超;焦志偉;丁玉梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京化工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/505;C23C16/46 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微分 混合式 化學(xué) 沉積 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于氣相沉積領(lǐng)域,特別涉及一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置。
背景技術(shù)
用于在物體上形成薄膜的氣相沉積方法一般分為物理氣相沉積(PVD)方法(例如,濺射)和化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,在PVD方法中,以沉積源的物理特性和薄膜材料的物理特性相同的方式形成薄膜,在CVD方法中,以沉積源的物理特性和薄膜材料的物理特性不同的方式使用化學(xué)反應(yīng)形成薄膜。由于PVD方法成分或厚度的均勻性和臺(tái)階覆蓋性不如CVD方法,因此通常更多地使用CVD方法。
CVD方法包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD),低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等。在CVD方法中,由于PECVD方法能夠?qū)崿F(xiàn)低溫沉積,并且成膜速度快,因此PECVD方法得到廣泛使用。PECVD方法是利用微波或射頻將注入到反應(yīng)腔中的反應(yīng)氣體電離,使得反應(yīng)氣體處于等離子體狀態(tài),而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。
薄膜沉積工藝最關(guān)鍵的是沉積薄膜均勻,研究人員已經(jīng)對(duì)此提出了大量改進(jìn)觀點(diǎn)。為了均勻沉積薄膜,均勻分布反應(yīng)氣體或等離子體起到非常重要的作用。為此,許閏成等公開了發(fā)明專利名稱為“一種用于化學(xué)氣相沉積的裝置”(201110280169.3)申請(qǐng),通過(guò)一種錐形的氣體擴(kuò)散部件,提高氣體的分散均勻性,從而提高沉積薄膜的均勻性。這種氣體分散方法中的反應(yīng)氣體是從中間向四周擴(kuò)散,氣體流道開闊,不能保證氣體分散均勻,并且這種方法要求反應(yīng)氣體在進(jìn)入氣相沉積裝置前進(jìn)行預(yù)混合處理,提高了裝置的復(fù)雜性。此外,對(duì)于在常溫條件下容易發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體,提前混合容易造成氣體提前反應(yīng),引起堵塞并影響沉積效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提高現(xiàn)有化學(xué)沉積裝置氣體分散效果,簡(jiǎn)化裝置,提供一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,由箱體、流道板、絕緣密封墊片、反應(yīng)室、支柱、基座、加熱系統(tǒng)和射頻系統(tǒng)組成;所述反應(yīng)室為進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)空間;流道板設(shè)置在反應(yīng)室上方,流道板內(nèi)流道由A入口、B入口、A主流道、B主流道、A分流道、B分流道、A支流道、B支流道、匯集流道、混合流道和噴頭組成;射頻系統(tǒng)的電極安裝在流道板上方;箱體位于流道板下方,其與流道板所包圍空間即為所述反應(yīng)空間,箱體的底面設(shè)置有均勻排布的多個(gè)抽氣孔,抽氣孔與抽氣管相連通,并連通到抽氣裝置;絕緣密封墊片上表面和下表面分別與流道板和箱體接觸,絕緣密封墊片、流道板與箱體固定;基座位于反應(yīng)室內(nèi),由立柱支撐;基座上方放置基板,基板可用于沉積薄膜或放置待沉積品。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,所述流道板的A入口與B入口位于流道板的兩側(cè),A入口與A主流道連通,B入口與B主流道連通,A主流道與B主流道平行設(shè)置;A主流道與多個(gè)A分流道連通,各A分流道與A主流道垂直,B主流道與多個(gè)B分流道連通,各B分流道與B主流道垂直,各A分流道與各B分流道為“A-B-A-B”式的交叉排列;每個(gè)A分流道分別與多個(gè)A支流道連通,每個(gè)B分流道分別與多個(gè)B支流道連通,對(duì)應(yīng)的各A支流道與B支流道在匯集流道匯合,各匯集流道連通混合流道,混合流道連通噴頭。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,所述流道板的A主流道與B主流道的斷面深度大于各A分流道與各B分流道的斷面深度。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,所述流道板的混合流道截面形狀由矩形變?yōu)閳A形,并且截面面積迅速減小。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,所述流道板可以由上板、中板、下板三塊金屬板組裝而成,上板、中板、下板由螺栓固定;上板內(nèi)流道為A入口、B入口、A分流道、B分流道以及A主流道和B主流道的上半部分;中板內(nèi)流道為A支流道、B支流道以及A主流道和B主流道的下半部分;下板內(nèi)流道為匯集流道、混合流道和噴頭。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,所述流道板也可以由金屬3D打印方法加工成型。
本發(fā)明一種微分混合式化學(xué)氣相沉積裝置,其加熱系統(tǒng)為電磁感應(yīng)加熱方式,加熱線圈位于基座內(nèi),加熱線圈排布方式為環(huán)形排布或點(diǎn)陣式排布。
由以上技術(shù)方案可知,本發(fā)明的有益效果是:
微分混合式流道能夠提高氣體混合的均勻性和氣體分布的均勻性,使化學(xué)氣相沉積薄膜更均勻,省去了氣體混合裝置,簡(jiǎn)化設(shè)備;采用電磁感應(yīng)加熱方式,加熱速率快,并且提高了電能的利用率,降低成本;除此之外,本發(fā)明化學(xué)氣相沉積裝置對(duì)于已經(jīng)混合好的反應(yīng)氣體,可以關(guān)閉一個(gè)入口,由一個(gè)入口進(jìn)入,同樣可以提高氣體分布均勻性。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京化工大學(xué),未經(jīng)北京化工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720273705.X/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 基礎(chǔ)化學(xué)數(shù)字化學(xué)習(xí)中心
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 化學(xué)清洗方法以及化學(xué)清洗裝置
- 化學(xué)強(qiáng)化組合物、化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)天平(無(wú)機(jī)化學(xué))
- 電化學(xué)裝置的化學(xué)配方
- 化學(xué)強(qiáng)化方法、化學(xué)強(qiáng)化裝置和化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)打尖方法和化學(xué)組合物





