[實用新型]一種低功耗的信號控制隔離延時開機電路

有效

• 申請號: 201720265271.9
• 申請日: 2017-03-18
• 公開（公告）號: CN206962791U
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 趙志良;謝國鵬;楊牧
• 申請（專利權）人: 西安甘鑫電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/28
• 分類號: H03K17/28;H03K17/567
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于電池供電開機電路技術領域，具體涉及一種低功耗的信號控制隔離延時開機電路。

背景技術

目前許多電子設備具有用電池供電的一鍵開機電路，一鍵開機電路存在一定的功耗，長時間待機時電池電量容易損耗完，無法滿足電子設備長時間待機的功能。

專利申請號為CN201410699612.4的發明，公開了一種能夠精確控制溫度的電磁蒸發裝置，其中電路主板上布設有延時開機電路，該延時開機電路掉工作原理是當220V交流市電由整流橋堆整流后，經電阻R20、R21、R22分壓后，獲得約為3.6V的電壓，該電壓再經過二極管D13加至電壓比較器U6的同相輸入端，電壓比較器U6的反相輸入端一路通過電阻R19接+5V電源，另一路經電容C18接電源負極,電壓比較器U6的輸出端一路經電阻R25接+15V電源，另一路經電阻R26接至三極管Q3的基極。電磁蒸發裝置通電瞬間，由于電容C18的充電作用，電壓比較器U6的反相輸入端的電位低于同相輸入端的電位，輸出端相當于與電路斷開，三極管Q3經電阻R703、R702接+15V電源，從而正向偏置而導通,三極管Q3導通后，三極管Q4截止，從而使IGBT因無驅動電壓信號而截止,電容經過1S后充電結束，電壓比較器U6的反相輸入端的電壓高于同相輸入端的電壓，輸出端輸出低電平，三極管Q3基極因無正向偏置而截止，電磁蒸發裝置進入正常待機狀態。電磁蒸發裝置在進入正常待機狀態后，延遲開機電路就變成了+300V過壓保護電路了,當+300V電壓因故偏高時，電壓比較器U6的反相輸入端電位將高于同相輸入端的電位，則輸出端相當于與電路斷開，則三極管Q3又會因正向偏置而導通,三極管Q3導通后，將來自功率整定電路的驅動脈沖電壓信號拉低，則IGBT的驅動電壓輸出電路停止工作，IGBT因無驅動電壓而截止，從而達到保護IGBT的目的,本發明提供的延時開機電路主要功能是防止開機瞬間對電子元件造成損壞，并沒有解決在長時間待機狀態下降低電池能耗以及誤觸發導致開機電路導通的現象。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種低功耗的信號控制隔離延時開機電路，該低功耗的信號控制隔離延時開機電路在控制信號CTL為低電平或者懸空時，電子開關PMOS管Q1處于截止狀態，控制信號CTL為高電平時，電子開關PMOS管Q1導通，電源輸入端Vin電壓等于電源輸出端Vout電壓，且觸發信號與電子開關電路隔離，且觸發后延長一定時間電子開關電路導通，這樣不僅降低電子設備在長時間待機時對電池電量造成損耗的現象，同時有效避免誤觸發導致開機電路導通現象，大大提高了電池的利用時間。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種低功耗的信號控制隔離延時開機電路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作為電子開關的電子開關電路、用于維持PMOS管Q1導通的導通維持電路和用于保護電子開關電路的穩壓保護電路、以及用于隔離延時PMOS管Q1導通的隔離延時電路，所述隔離延時電路與控制信號CTL連接。

本實用新型的特點還在于：

所述電子開關電路包括作為電子開關的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1導通或截止的電阻R2、電阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源極和漏極分別與電源輸入端Vin和電源輸出端Vout連接，所述PMOS管Q1的源極經電阻R2、電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述PMOS管Q1的柵極與所述電阻R2和電阻R3的連接端相連，所述NMOS管Q2的漏極還與所述隔離延時電路連接，所述NMOS管Q2的柵極與PMOS管Q1的漏極連接，所述NMOS管Q2的源極接地。

所述隔離延時電路包括RC充放電電路和與RC充放電電路連接的光電耦合器U2，所述RC充放電電路包括一端與控制信號CTL連接的電阻R6，所述電阻R6另一端分三路，一路連接電容C2，另一路連接電阻R7，第三路與光電耦合器U2中發光二極管的正極連接，所述發光二極管的負極接地，所述光電耦合器U2中光敏三極管的漏極與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述光電耦合器U2中光敏三極管的源極接地。

所述導通維持電路包括電阻R1、電容C1、二極管D1、電阻R4和電阻R5，所述電阻R1并聯于電阻R2和電阻R3的兩端，所述二極管D1的正極與所述PMOS管Q1的漏極連接，所述二極管D1的負極與電阻R4一端連接，所述電阻R4另一端與所述NMOS管Q2的柵極連接，所述電阻R4另一端還經電阻R5接地，所述電阻R4另一端還經電容C1接地。