[實(shí)用新型]一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720265271.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-18
• 公開（公告）號(hào): CN206962791U
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙志良;謝國(guó)鵬;楊牧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安甘鑫電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/28
• 分類號(hào): H03K17/28;H03K17/567
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作為電子開關(guān)的電子開關(guān)電路、用于維持PMOS管Q1導(dǎo)通的導(dǎo)通維持電路和用于保護(hù)電子開關(guān)電路的穩(wěn)壓保護(hù)電路、以及用于隔離延時(shí)PMOS管Q1導(dǎo)通的隔離延時(shí)電路，所述隔離延時(shí)電路與控制信號(hào)CTL連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述電子開關(guān)電路包括作為電子開關(guān)的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1導(dǎo)通或截止的電阻R2、電阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源極和漏極分別與電源輸入端Vin和電源輸出端Vout連接，所述PMOS管Q1的源極經(jīng)電阻R2、電阻R3與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述PMOS管Q1的柵極與所述電阻R2和電阻R3的連接端相連，所述NMOS管Q2的漏極還與所述隔離延時(shí)電路連接，所述NMOS管Q2的柵極與PMOS管Q1的漏極連接，所述NMOS管Q2的源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述隔離延時(shí)電路包括RC充放電電路和與RC充放電電路連接的光電耦合器U2，所述RC充放電電路包括一端與控制信號(hào)CTL連接的電阻R6，所述電阻R6另一端分三路，一路連接電容C2，另一路連接電阻R7，第三路與光電耦合器U2中發(fā)光二極管的正極連接，所述發(fā)光二極管的負(fù)極接地，所述光電耦合器U2中光敏三極管的漏極與所述NMOS管Q2的漏極連接，所述光電耦合器U2中光敏三極管的源極接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述導(dǎo)通維持電路包括電阻R1、電容C1、二極管D1、電阻R4和電阻R5，所述電阻R1并聯(lián)于電阻R2和電阻R3的兩端，所述二極管D1的正極與所述PMOS管Q1的漏極連接，所述二極管D1的負(fù)極與電阻R4一端連接，所述電阻R4另一端與所述NMOS管Q2的柵極連接，所述電阻R4另一端還經(jīng)電阻R5接地，所述電阻R4另一端還經(jīng)電容C1接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓保護(hù)電路包括與所述PMOS管Q1源極和柵極并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD1。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述電容C1并聯(lián)的反向穩(wěn)壓二極管ZD2。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低功耗的信號(hào)控制隔離延時(shí)開機(jī)電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓保護(hù)電路還包括與所述NMOS管Q2漏極和源極并聯(lián)的反向二極管D2。