[實用新型]存儲元件

有效

• 申請號: 201720260163.2
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN206685138U
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: F·阿布澤德;G·加西奧特
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;H03K3/037
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,呂世磊

1.一種存儲元件，其特征在于，包括：

兩個CMOS反相器(10，11)，所述兩個CMOS反相器在兩個節點(52，53)之間首尾耦合；以及

一個MOS晶體管(64，66，68，70)，所述MOS晶體管在所述節點(52，53)之間連接作為電容器。

2.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，所述晶體管(64)的漏極和源極互連。

3.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，連接作為電容器的所述晶體管包括四個并聯連接的第一晶體管(64，66，68，70)。

4.如權利要求3所述的存儲元件，其特征在于，所述四個第一晶體管中的兩個晶體管(66，70)是N溝道晶體管，與所述反相器(10，11)的所述N溝道晶體管(13，16)完全相同，并且所述兩個其他第一晶體管(64，68)是P溝道晶體管，與所述反相器(10，11)的P溝道晶體管(12，14)完全相同。

5.如權利要求4所述的存儲元件，其特征在于，所述第一N溝道晶體管之一(66)以及所述第一P溝道晶體管之一(64)使其柵極連接到第一反相器(11)的輸入端并且使其漏極/源極連接到其輸出端，并且所述兩個其他第一晶體管(68，70)使其柵極連接到所述第二反相器(10)的輸入端并且使其漏極/源極連接到其輸出端。

6.如權利要求1所述的存儲元件，其特征在于，所述反相器(11)之一是鐘控反相器。

7.如權利要求5所述的存儲元件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有針對每個反相器(10，11)的P型有源區域(24)和N型有源區域(25)；

四個第一晶體管(64，66，68，70)，各自形成在所述有源區域(24，25)之一中；

四個第二晶體管(12，13，14，16)——兩個N溝道晶體管(13，16)和兩個P溝道晶體管(12，14)，對應于所述兩個CMOS反相器(10，11)的所述晶體管，各自形成在不同的有源區域中并且通過其漏極連接到形成在此區域上的所述第一晶體管(64，66，68，70)的漏極和源極；

兩個導電條帶，各自形成并連接有源P型區域和有源N型區域的所述第一晶體管(64，66，68，70)和所述第二晶體管(12，13，14，16)的柵極；以及

兩個金屬噴鍍(44)，各自連接：

-通過導電條帶連接的四個晶體管(14，16，64，66；12，13，68，70)的漏極；

-來自這四個晶體管(14，16，64，66；12，13，68，70)當中的一個P溝道晶體管和一個N溝道晶體管的源極；以及

-連接所述四個其他晶體管(12，13，68，70；14，16，64，66)的柵極的所述導電條帶。