[實用新型]ESD保護結構

有效

• 申請號: 201720256665.8
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN206685387U
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 張煒;郭斌;聶衛東
• 申請（專利權）人: 無錫市晶源微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 王玉雙,李巖

1.一種ESD保護結構，包含NPN型三極管，其特征在于，所述NPN型三極管內還包含二極管及電阻，所述二極管的陽極電性連接于所述NPN型三極管的基極，所述二極管的陰極電性連接于所述NPN型三極管的集電極，所述電阻的一端連接所述NPN型三極管的集電極，所述電阻的另一端連接所述NPN型三極管的基極，所述二極管的反向擊穿電壓小于所述NPN型三極管的集電結擊穿電壓。

2.如權利要求1所述的ESD保護結構，其特征在于，所述NPN型三極管包含：

第一場區；

第二場區，位于所述第一場區的外側；

第一有源區，形成于所述第一場區及所述第二場區之間且位于所述第一場區的一側；

第二有源區，形成于所述第一場區及所述第二場區之間且位于所述第一場區的另一側；

第一N+擴散區，形成于所述第一有源區內，所述第一N+擴散區形成所述NPN型三極管的集電極的引出端；

第二N+擴散區，形成于所述第二有源區內，所述第二N+擴散區電性連接于所述第一N+擴散區形成所述二極管的陰極，所述第二N+擴散區底部下方的所述第二有源區形成所述二極管的陽極。

3.如權利要求2所述的ESD保護結構，其特征在于，所述NPN型三極管還包含：

P+擴散區，形成于所述第二有源區內，所述P+擴散區形成所述NPN型三極管的基極的引出端；

第三N+擴散區，形成于所述第二有源區內，第三N+擴散區電性接于所述P+擴散區形成所述NPN型三極管的發射極的引出端。

4.如權利要求2所述的ESD保護結構，其特征在于，所述第二有源區為Pbase擴散區并且所述Pbase擴散區形成所述NPN型三極管的基極，及/或，所述第一有源區為所述第一N+擴散區。

5.如權利要求3所述的ESD保護結構，其特征在于，所述NPN型三極管還包含絕緣層，覆蓋所述第一場區、所述第二場區、所述第一有源區及所述第二有源區，位于所述第一N+擴散區、所述第二N+擴散區、所述第三N+擴散區及所述P+擴散區上方的所述絕緣層上分別開設有接觸孔，每一所述接觸孔內填充有金屬層，所述第二N+擴散區通過所述金屬層電性連接于所述第一N+擴散區，所述第三N+擴散區通過所述金屬層電性接于所述P+擴散區，連接所述第二N+擴散區及所述第一N+擴散區的所述金屬層引出所述ESD保護結構的正極，連接所述第三N+擴散區及所述P+擴散區的所述金屬層引出所述ESD保護結構的負極。

6.如權利要求2所述的ESD保護結構，其特征在于，所述NPN型三極管還包含N外延層，所述N外延層位于所述第一場區、所述第二場區、所述第一有源區及所述第二有源區下方。

7.如權利要求6所述的ESD保護結構，其特征在于，所述NPN型三極管還包含：

P襯底；

N埋層，形成于所述P襯底上；

二個P埋層，形成于所述P襯底上且分別位于N埋層的兩側，所述N外延層位于所述N埋層及所述二個P埋層的上方。

8.如權利要求7所述的ESD保護結構，其特征在于，所述N外延層上包含二個P阱區，所述二個P阱區分別位于所述第二場區與所述二個P埋層之間。

9.如權利要求7所述的ESD保護結構，其特征在于，所述N外延層上還包含N sinker擴散區，所述N sinker擴散區位于所述第一有源區及所述N埋層之間。