[實用新型]一種PECVD雙面沉積設備

有效

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• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN206624913U
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 方結彬;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/513
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 胡楓

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種PECVD雙面沉積設備。

背景技術

在光伏太陽能行業(yè)，高效率PERC太陽能電池的制造要經過制絨，擴散，刻蝕，鍍膜，絲網印刷，燒結和退火七大工序。其中，鍍膜工序的目的是采用等離子增強化學氣相沉積的方法在硅片背面鍍氧化鋁膜和氮化硅膜，以及在硅片正面鍍氮化硅膜。

目前，光伏行業(yè)大多采用管式PECVD或板式PECVD對硅片單面鍍氮化硅膜，操作員工將花籃中的硅片插入專門的石墨舟或石墨框里，或者通過自動上下料機將硅片插入石墨舟或石墨框，然后將石墨舟或石墨框放入爐管中鍍膜。正面和背面的氮化硅膜沉積需要兩次鍍膜，工藝較繁復，且多次的沉積操作容易造成硅片的劃傷，提高碎片率，不利于降低產品的不良率。

發(fā)明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種PECVD雙面沉積設備，可在硅片正反面同時沉積膜層，減少硅片的碎片率，提高生產效率。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種PECVD雙面沉積設備，包括上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)，所述上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)依次連接；所述工藝腔設有上通氣板和下通氣板，以及與上通氣板和下通氣板連通的氣源裝置；

所述上通氣板和下通氣板皆設有通氣孔，上通氣板和下通氣板平行設置并在兩板之間設有一條容納硅片通行的通道；

上通氣板或下通氣板所在平面與水平面所成夾角為1-5度。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，所述上通氣板設有100-500個通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm；所述下通氣板設有100-500個通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，所述上通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm；所述下通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，所述上通氣板的通氣孔與下通氣板的通氣孔排列方式和間距相同。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，所述氣源裝置設有氨氣氣罐和硅烷氣罐，氨氣氣罐和硅烷氣罐與上通氣板經導管連通；氨氣氣罐和硅烷氣罐與下通氣板經導管連通。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，通氣孔設有第一通氣孔和第二通氣孔，第一通氣孔與氨氣氣罐連通，第二通氣孔與硅烷氣罐連通。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，上通氣板和下通氣板由石英板材制成。

作為所述PECVD雙面沉積設備的優(yōu)選技術方案，上通氣板和下通氣板之間的距離為50-300mm。

實施本實用新型實施例，具有如下有益效果：

本實用新型所述PECVD雙面沉積設備，在現有的PECVD設備的基礎上改變工藝腔內的結構，使得硅片在上下兩塊通氣板噴射氣體的作用下，懸浮在兩板之間，在高溫高壓的條件下，噴射出來的氨氣和硅烷氣體與硅片發(fā)生反應從而在硅片的正反面同時沉積氮化硅膜，減少重復沉積的次數，提高生產效率，降低碎片率；而且多次的沉積操作容易造成硅片表面的劃傷，因此采用本實用新型PECVD雙面沉積設備即可減少對硅片的損傷，提高產品合格率，產品性能更穩(wěn)定可靠。

附圖說明

圖1是本實用新型一種PECVD雙面沉積設備的結構示意圖；

圖2是本實用新型一種PECVD雙面沉積設備的通氣孔排列示意圖；

圖3是本實用新型一種PECVD雙面沉積設備的另一通氣孔排列示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。

現有PECVD設備將硅片放置在石墨舟上送進反應腔內，進氣管道向反應腔內噴射反應氣體，從而在硅片外露的一面鍍上膜層。然而隨著研究人員對太陽能電池性能的研究逐步深入，如PERC太陽能電池需要在硅片背面鍍上氧化鋁膜和氮化硅膜，硅片正面鍍上氮化硅膜，由此，電池制備工藝中需進行三次沉積成膜，不僅步驟重復繁瑣，且容易造成硅片的劃傷，難以控制產品的不良率。