[實(shí)用新型]一種PECVD雙面沉積設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720203426.6
• 申請(qǐng)日: 2017-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN206624913U
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方結(jié)彬;何達(dá)能;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/34
• 分類號(hào): C23C16/34;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/513
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 胡楓

1.一種PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，包括上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)，所述上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)依次連接；所述工藝腔設(shè)有上通氣板和下通氣板，以及與上通氣板和下通氣板連通的氣源裝置；

所述上通氣板和下通氣板皆設(shè)有通氣孔，上通氣板和下通氣板平行設(shè)置并在兩板之間設(shè)有一條容納硅片通行的通道；

上通氣板或下通氣板所在平面與水平面所成夾角為1-5度。

2.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板設(shè)有100-500個(gè)通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm；所述下通氣板設(shè)有100-500個(gè)通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm。

3.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm；所述下通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm。

4.如權(quán)利要求3所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板的通氣孔與下通氣板的通氣孔排列方式和間距相同。

5.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣源裝置設(shè)有氨氣氣罐和硅烷氣罐，氨氣氣罐和硅烷氣罐與上通氣板經(jīng)導(dǎo)管連通；氨氣氣罐和硅烷氣罐與下通氣板經(jīng)導(dǎo)管連通。

6.如權(quán)利要求5所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，通氣孔設(shè)有第一通氣孔和第二通氣孔，第一通氣孔與氨氣氣罐連通，第二通氣孔與硅烷氣罐連通。

7.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，上通氣板和下通氣板由石英板材制成。

8.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，上通氣板和下通氣板之間的距離為50-300mm。