[實用新型]一種準分子激光退火裝置

有效

• 申請號: 201720202711.6
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN206480599U
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 田雪雁;李小龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 汪源,陳源

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種準分子激光退火裝置。

背景技術

在平板顯示裝置中，有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，簡稱AMOLED)憑據高畫質、移動圖像響應時間短、低功耗、寬視角及超輕超薄等優點，成為了未來顯示技術的最好選擇。目前AMOLED的背板技術中，多晶硅層的制作主要采用準分子激光退火(Excimer Laser Annealing，簡稱ELA)、固相晶化或金屬誘導晶化等多種制作方法。而采用準分子激光退火工藝，來得到的背板中晶體管有源層的多晶硅薄膜是唯一已經實現量產的方法。

準分子激光退火工藝，是一種相對比較復雜的退火過程。準分子激光退火設備是用準分子激光束對待處理基板上的非晶硅膜進行短時間照射，使其再結晶變成多晶硅膜的設備。在現有的在準分子激光退火裝置中，每張待處理基板將會按照流水性質的操作，逐個送入工藝腔室中直接進行激光退火。

在實際處理過程中發現，部分待處理基板偶發性的存在氣泡(Bubble)等不良問題，而這些待處理基板在工藝腔室中進行準分子激光退火工藝時，氣泡會在高熱量的準分子激光源照射下膨脹，從而導致待處理基板發生碳爆的現象，污染準分子激光退火設備。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種準分子激光退火裝置。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種準分子激光退火裝置，包括：激光產生單元和工藝腔室，所述工藝腔室內設置有用于檢測待處理基板上各位置的實際厚度的厚度檢測單元；

所述準分子激光退火裝置還包括：與所述厚度檢測單元連接、用于根據厚度檢測單元檢測到的所述待處理基板上各位置的實際厚度來判斷所述待處理基板是否為異常基板的基板判斷單元。

可選地，所述厚度檢測單元包括：激光位移傳感器，激光位移傳感器設置于工藝腔室的頂部。

可選地，還包括：與所述基板判斷單元連接、用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異常基板時記錄所述異常基板的基板信息的記錄單元。

可選地，所述基板信息包括：異常基板的序號、異常基板上異常點的數量、異常基板上異常點的位置、異常基板上異常點的實際厚度中的至少一者。

可選地，還包括：與所述基板判斷單元連接、用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異常基板時進行報警的報警單元。

可選地，基板判斷單元包括：

與所述厚度檢測單元連接、用于判斷相應位置的實際厚度是否處于預設厚度范圍內的厚度判斷模塊；

與所述厚度判斷模塊連接、用于在厚度判斷模塊判斷出相應位置的實際厚度不處于預設厚度范圍內時確定出該相應位置為異常點的異常點確定模塊；

與所述異常點確定模塊連接、用于統計所述待處理基板上異常點的數量的數量統計模塊；

與所述數量統計模塊連接、用于判斷所述數量統計模塊統計出的異常點的數量是否大于預設數量值的數量判斷模塊；

與所述數量判斷模塊連接、用于在數量判斷模塊判斷出異常點的數量大于預設數量值時確定出所述待處理基板為異常基板的異常基板確定模塊。

可選地，還包括：承載待處理基板的工作臺。

可選地，還包括：與所述工作臺連接、用于帶動工作臺運動的運動單元。

可選地，所述運動單元還用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異常基板時將帶動工作臺向工藝腔室的基板運輸口的一側運動，以將異常基板運輸至工藝腔室外。

可選地，所述厚度檢測單元位于所述工藝腔室的頂部且靠近工藝腔室的基板運輸口的一側。

本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型提供了一種準分子激光退火裝置，該準分子激光退火裝置可在激光退火工藝開始之前有效識別出異常基板，并自動將異常基板運輸出工藝腔室外，從而避免異常基板進行激光退火工藝。本實用新型的技術方案可降低激光退火工藝中待處理基板發生碳爆的概率，從而有效避免準分子激光退火設備被污染。

附圖說明

圖1為待處理基板的截面示意圖；

圖2為本實用新型提供的一種準分子激光退火裝置的結構示意圖；

圖3為圖2中基板判斷單元的結構框圖；

圖4為準分子激光退火裝置對待處理基板進行厚度檢測時的示意圖；

圖5為準分子激光退火裝置將異常基板運輸出工藝腔室外時的示意圖；