[實(shí)用新型]一種準(zhǔn)分子激光退火裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720202711.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206480599U | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田雪雁;李小龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 準(zhǔn)分子激光 退火 裝置 | ||
1.一種準(zhǔn)分子激光退火裝置,包括:激光產(chǎn)生單元和工藝腔室,其特征在于,所述工藝腔室內(nèi)設(shè)置有用于檢測(cè)待處理基板上各位置的實(shí)際厚度的厚度檢測(cè)單元;
所述準(zhǔn)分子激光退火裝置還包括:與所述厚度檢測(cè)單元連接、用于根據(jù)厚度檢測(cè)單元檢測(cè)到的所述待處理基板上各位置的實(shí)際厚度來(lái)判斷所述待處理基板是否為異?;宓幕迮袛鄦卧?。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,所述厚度檢測(cè)單元包括:激光位移傳感器,激光位移傳感器設(shè)置于工藝腔室的頂部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,還包括:與所述基板判斷單元連接、用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異?;鍟r(shí)記錄所述異常基板的基板信息的記錄單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,所述基板信息包括:異?;宓男蛱?hào)、異?;迳袭惓|c(diǎn)的數(shù)量、異?;迳袭惓|c(diǎn)的位置、異?;迳袭惓|c(diǎn)的實(shí)際厚度中的至少一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,還包括:與所述基板判斷單元連接、用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異?;鍟r(shí)進(jìn)行報(bào)警的報(bào)警單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,基板判斷單元包括:
與所述厚度檢測(cè)單元連接、用于判斷相應(yīng)位置的實(shí)際厚度是否處于預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)的厚度判斷模塊;
與所述厚度判斷模塊連接、用于在厚度判斷模塊判斷出相應(yīng)位置的實(shí)際厚度不處于預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)時(shí)確定出該相應(yīng)位置為異常點(diǎn)的異常點(diǎn)確定模塊;
與所述異常點(diǎn)確定模塊連接、用于統(tǒng)計(jì)所述待處理基板上異常點(diǎn)的數(shù)量的數(shù)量統(tǒng)計(jì)模塊;
與所述數(shù)量統(tǒng)計(jì)模塊連接、用于判斷所述數(shù)量統(tǒng)計(jì)模塊統(tǒng)計(jì)出的異常點(diǎn)的數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)數(shù)量值的數(shù)量判斷模塊;
與所述數(shù)量判斷模塊連接、用于在數(shù)量判斷模塊判斷出異常點(diǎn)的數(shù)量大于預(yù)設(shè)數(shù)量值時(shí)確定出所述待處理基板為異常基板的異?;宕_定模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,還包括:承載待處理基板的工作臺(tái)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,還包括:與所述工作臺(tái)連接、用于帶動(dòng)工作臺(tái)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,所述運(yùn)動(dòng)單元還用于在基板判斷單元判斷出所述待處理基板為異?;鍟r(shí)將帶動(dòng)工作臺(tái)向工藝腔室的基板運(yùn)輸口的一側(cè)運(yùn)動(dòng),以將異?;暹\(yùn)輸至工藝腔室外。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的準(zhǔn)分子激光退火裝置,其特征在于,所述厚度檢測(cè)單元位于所述工藝腔室的頂部且靠近工藝腔室的基板運(yùn)輸口的一側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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