[實用新型]SOT封裝結構的半導體器件

有效

• 申請號: 201720164444.8
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206789540U
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 張春堯;彭興義
• 申請（專利權）人: 江蘇鹽芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種芯片封裝結構，涉及半導體技術領域。

背景技術

SOT封裝是一種元件封裝形式，常見的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現在基本采用塑料封裝，應用范圍很廣，主要用在各種集成電路中。如圖1所示，現有的SOT封裝結構中的焊盤一般為對應于電子元器件的信號引腳獨立設置的單個的獨立的小焊盤。但是隨著產品耗電流越來越大，有些SOT封裝芯片也被用于大電流電路中，起電流轉換的作用給某些模塊供電，但是這些傳統的SOT封裝在PCB中對應的焊盤設計越來越不符合要求，因為焊盤尺寸面積太小，在承載大電流時瞬間電流非常大，電流產生的脈沖在極短時間內會將芯片擊穿，很有可能燒毀整個電路，損失非常大。傳統的SOT封裝焊盤無法承載更大電流，導致芯片的散熱不行、電路功能的不穩定、極短的時間大電流的沖擊容易損壞芯片，從而影響產品的質量。

發明內容

本實用新型目的是提供一種SOT封裝結構的半導體器件，該SOT封裝結構的半導體器件有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，以便芯片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好，提高器件的承載電流、集成芯片的穩定性和可靠性。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種SOT封裝結構的半導體器件，包括芯片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳和環氧樹脂包覆體，所述芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央區域，若干個所述左側引腳并排間隔地設置于芯片的左側，若干個所述右側引腳并排間隔地設置于芯片的右側，所述金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述環氧樹脂包覆體包覆于芯片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳上，所述金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部；

所述芯片上表面的左側區和右側區分別開有若干個左圓凹槽、若干個右圓凹槽，所述左圓凹槽和右圓凹槽各自底部均具有管腳區，所述左側引腳和右側引腳各自的內側端上表面分別開有第一圓凹槽和第二圓凹槽，若干根第一金線一端位于左圓凹槽內并通過焊膏與管腳區電連接，此第一金線另一端位于左側引腳的第一圓凹槽內并通過焊膏電連接，若干根第二金線一端位于右圓凹槽內并通過焊膏與管腳區電連接，此第二金線另一端位于右側引腳的第二圓凹槽內并通過焊膏電連接；所述左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽和右梯形凹槽。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1. 上述方案中，所述左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層。

2. 上述方案中，所述金屬鍍層為錫層或者鎳鈀金層。

3. 上述方案中，所述左圓凹槽和右圓凹槽均為半圓形凹槽。

4. 上述方案中，所述金屬鍍層與左側引腳或者右側引腳的厚度比為1：6~12。

5. 上述方案中，所述左側引腳和右側引腳的數目均為3~10根。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1. 本實用新型SOT封裝結構的半導體器件，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有左梯形凹槽和右梯形凹槽，位于引腳內側端面的中間區域填充有環氧樹脂，既有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央區域，金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好。

2. 本實用新型SOT封裝結構的半導體器件，其芯片上表面的左側區和右側區分別開有若干個左圓凹槽、若干個右圓凹槽，所述左圓凹槽和右圓凹槽各自底部均具有管腳區，所述左側引腳和右側引腳各自的內側端上表面分別開有第一圓凹槽和第二圓凹槽，若干根第一金線一端位于左圓凹槽內并通過焊膏與管腳區電連接，此第一金線另一端位于左側引腳的第一圓凹槽內并通過焊膏電連接，若干根第二金線一端位于右圓凹槽內并通過焊膏與管腳區電連接，此第二金線另一端位于右側引腳的第二圓凹槽內并通過焊膏電連接，有效避免了、空焊和虛焊的問題，既提高器件的承載電流，也提高了集成芯片的穩定性和可靠性。

3. 本實用新型SOT封裝結構的半導體器件，其左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，既降低了器件與PCB的導電接觸電阻，也有利于與PCB之間的焊接強度的提高。

附圖說明

附圖1為本實用新型SOT封裝結構的半導體器件結構示意圖；

附圖2為附圖1的局部結構示意圖。