[實用新型]高導熱型半導體器件封裝結構

有效

• 申請號: 201720164409.6
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206789543U
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 張春堯;彭興義
• 申請（專利權）人: 江蘇鹽芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
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技術領域

本實用新型涉及一種芯片封裝結構，涉及半導體技術領域。

背景技術

IC 器件的設計是以電路原理圖為根據，實現電路設計者所需要的功能。其主要指版圖設計，需要考慮外部連接的布局，內部電子元件的優化布局，金屬連線和通孔的優化布局，電磁保護，熱耗散等各種因素。優秀的IC 器件設計可以節約生產成本，達到良好的電路性能和散熱性能。焊盤是IC 器件設計中最常接觸也是最重要的概念，選擇元件的焊盤類型要綜合考慮該元件的形狀、大小、布置形式、振動和受熱情況、受力方向等因素。現有技術容易造成器件空焊、虛焊等問題。

發明內容

本實用新型目的是提供一種高導熱型半導體器件封裝結構，該高導熱型半導體器件封裝結構在一個封裝結構中封裝需隔離的兩粒芯片，實現了雙芯片封裝功能，且有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種高導熱型半導體器件封裝結構，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳和環氧樹脂包覆體；

所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區和連接于載片區一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；

所述第一芯片、第二芯片分別通過絕緣膠層固定于第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤各自的載片區上表面的中央區域，若干個所述左側引腳并排間隔地設置于第一芯片、第二芯片的左側，若干個所述右側引腳并排間隔地設置于第一芯片、第二芯片的右側，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤下部邊緣處均開有第一缺口槽，所述左側引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內側端下部開有第二缺口槽，所述右側引腳與第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤相向的內側端下部開有第三缺口槽，所述環氧樹脂包覆體包覆于芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳上，所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部；

若干根第一金線兩端分別與第一芯片、第二芯片和左側引腳電連接，若干根第二金線兩端分別與第一芯片、第二芯片和右側引腳電連接，所述左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽和右梯形凹槽；所述第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤上表面均沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的邊緣區。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

上述方案中，所述左側引腳和右側引腳的數目均為3~10根。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1. 本實用新型高導熱型半導體器件封裝結構，其第一芯片、第二芯片、第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳和環氧樹脂包覆體，第一L形金屬焊盤、第二L形金屬焊盤均由載片區和連接于載片區一端頂部的桿狀延伸部組成，所述第一L形金屬焊盤的載片區嵌入第二L形金屬焊盤的缺口處，所述第二L形金屬焊盤的載片區嵌入第一L形金屬焊盤的缺口處；因為設置了兩個載片區，在一個封裝結構中封裝需隔離的兩粒芯片，實現了雙芯片封裝功能；其次，其金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位于芯片正下方并靠近芯片的邊緣區域，有效避免了導熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產品成品率，使得加工生產更為簡單方便，提高了集成芯片的穩定性和可靠性。

2. 本實用新型高導熱型半導體器件封裝結構，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有左梯形凹槽和右梯形凹槽，位于引腳內側端面的中間區域填充有環氧樹脂，既有利于將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其芯片通過絕緣膠層固定于金屬焊盤上表面的中央區域，金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便芯片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好。