[實用新型]高導熱型半導體器件封裝結構

有效

• 申請號: 201720164409.6
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN206789543U
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 張春堯;彭興義
• 申請（專利權）人: 江蘇鹽芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高導熱型半導體器件封裝結構，其特征在于：包括第一芯片（101）、第二芯片（102）、第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）、若干個左側引腳（3）、若干個右側引腳（4）和環氧樹脂包覆體（5）；

所述第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）均由載片區（21）和連接于載片區（21）一端頂部的桿狀延伸部（22）組成，所述第一L形金屬焊盤（201）的載片區（21）嵌入第二L形金屬焊盤（202）的缺口處，所述第二L形金屬焊盤（202）的載片區（21）嵌入第一L形金屬焊盤（201）的缺口處；

所述第一芯片（101）、第二芯片（102）分別通過絕緣膠層（6）固定于第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）各自的載片區（21）上表面的中央區域，若干個所述左側引腳（3）并排間隔地設置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的左側，若干個所述右側引腳（4）并排間隔地設置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的右側，所述第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）下部邊緣處均開有第一缺口槽（7），所述環氧樹脂包覆體（5）包覆于芯片（1）、第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）、若干個左側引腳（3）、若干個右側引腳（4）上，所述第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）、左側引腳（3）和右側引腳（4）各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體（5）的底部；

若干根第一金線（15）兩端分別與第一芯片（101）、第二芯片（102）和左側引腳（3）電連接，若干根第二金線（16）兩端分別與第一芯片（101）、第二芯片（102）和右側引腳（4）電連接，所述左側引腳（3）和右側引腳（4）各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽（8）和右梯形凹槽（9）；所述第一L形金屬焊盤（201）、第二L形金屬焊盤（202）上表面均沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽（18），此環形儲膏槽（18）的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽（18）位于第一芯片（101）、第二芯片（102）正下方并靠近芯片的邊緣區。

2.根據權利要求1所述的高導熱型半導體器件封裝結構，其特征在于：所述左側引腳（3）和右側引腳（4）的數目均為3~10根。