[實用新型]一種電子級多晶硅的生產系統有效
| 申請號: | 201720111678.6 | 申請日: | 2017-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN206735809U | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發明(設計)人: | 吳鋒;梁帥軍;韓鋒;楊亮 | 申請(專利權)人: | 江蘇鑫華半導體材料科技有限公司;江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司;江蘇中能硅業科技發展有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/04 | 分類號: | C01B33/04;C01B33/035 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204 | 代理人: | 肖明芳 |
| 地址: | 221004 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子 多晶 生產 系統 | ||
1.一種電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,包括順序連接的反應精餾裝置(1)、精餾除雜裝置(2)、還原裝置(3)、尾氣回收裝置(4)和氫氣提純裝置(5);其中尾氣回收裝置(4)連接到精餾除雜裝置(2),氫氣提純裝置(5)連接到精餾除雜裝置(2),所述各裝置各自獨立的包含若干個進料口和若干個出料口,前一個裝置的出料口通過管道連接到后一個裝置的進料口。
2.根據權利要求1所述的電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,所述反應精餾裝置中包含一個反應精餾塔(1000)。
3.根據權利要求2所述的電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,所述反應精餾塔(1000)的塔身自上而下依次為上塔區(1100)、中塔區(1200)和下塔區(1300),塔身一側為進料側,塔身另一側為出料側;所述上塔區(1100)內設第一填料區(1103),所述中塔區(1200)為篩板區,所述下塔區(1300)內設第二填料區(1301);所述上塔區頂部進料側設有液體催化劑進料口(1101),上塔區頂部回流區設有硅烷出料口(1102),所述中塔區中部設有三氯氫硅進料口(1201),所述下塔區底部設有液體出料口(1302)。
4.根據權利要求3所述的電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,所述第一填料區包含25~40塊理論板的規整填料,所述篩板區包含30~70塊塔板,所述第二填料區包含30~40塊理論板的規整填料。
5.根據權利要求3所述的電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,所述液體出料口(1302)通過管道連接到閃蒸罐(1400),所述閃蒸罐罐底設有液體催化劑出料口(1401),所述閃蒸罐罐頂設有出料口(1402)。
6.根據權利要求3所述的電子級多晶硅的生產系統,其特征在于,所述液體催化劑進料口(1101)之前連接有液體催化劑進料罐(1500),所述三氯氫硅進料口(1201)之前連接有三氯氫硅進料罐(1600)。
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