[實(shí)用新型]濕法刻蝕槽以及濕法刻蝕設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720109655.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206541807U | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉海亮;王鵬濤;嚴(yán)清濤;許非凡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東旭(昆山)顯示材料有限公司;東旭集團(tuán)有限公司;東旭科技集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L27/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濕法 刻蝕 以及 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種濕法刻蝕槽以及濕法刻蝕設(shè)備。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)技術(shù)是利用在硅(si)上進(jìn)行微電子精細(xì)加工的技術(shù),移植到在大面積玻璃基板上進(jìn)行TFT陣列的加工,再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板,利用與業(yè)已成熟的LCD技術(shù),形成一個(gè)液晶盒相結(jié)合,再經(jīng)過后工序如偏光片貼覆等過程,最后形成液晶顯示器。
在TFT陣列(Array)制造工藝過程中,主要涉及在潔凈的玻璃基板上鍍膜、光刻、刻蝕、去膠等工藝,其中刻蝕工藝主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過程,是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。由于濕法刻蝕具有選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。
在濕法刻蝕的過程中,通常會(huì)選用腐蝕性好的酸溶液(如草酸)作為藥液噴灑到玻璃基板上,為了防止藥液被出刻蝕槽的玻璃基板帶出,基本會(huì)選擇在刻蝕槽的出口安裝氣簾,以及在刻蝕槽的出口和/或入口安裝氣簾以防止酸氣泄漏,另外,還會(huì)在刻蝕槽的入口安裝氣簾,如圖1中所示,該氣簾11包括與氣源相通的進(jìn)氣口以及與所述進(jìn)氣口相通的出氣口,從該出氣口吹出的氣體能夠?qū)⒉AЩ迳蠑y帶的藥液吹回刻蝕槽,從而達(dá)到藥液循環(huán)利用的目的。
然而,由于一些藥液如草酸極易結(jié)晶,易于在氣簾的出氣口處,尤其是在吹出氣體的作用下,更容易發(fā)生結(jié)晶。當(dāng)產(chǎn)生結(jié)晶體后,氣簾被堵塞,于是會(huì)導(dǎo)致藥液被大量攜出,造成藥液成本增加;嚴(yán)重的還會(huì)造成Array的膜層破損,造成信號(hào)線斷路。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種濕法刻蝕槽,該濕法刻蝕槽中的氣簾的內(nèi)部的通道能夠被沖洗,從而防止所述氣簾被堵塞。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種濕法刻蝕槽,該濕法刻蝕槽包括具有進(jìn)口和出口的槽體和設(shè)置在所述出口處的氣簾,在所述進(jìn)口和所述出口之間傳送有噴灑藥液的玻璃基板,所述氣簾包括形成于所述氣簾內(nèi)部的通道,所述通道的兩端分別形成有與氣源相通的進(jìn)氣口以及能夠向所述玻璃基板吹出氣體的出氣口,并且所述濕法刻蝕槽包括供給單元,所述供給單元能夠通過所述進(jìn)氣口提供介質(zhì)以通過所述介質(zhì)沖洗所述通道。
優(yōu)選地,所述供給單元包括連接所述氣簾的進(jìn)氣口和介質(zhì)源的第一管路以及設(shè)置在所述第一管路上的第一控制閥;所述氣簾的進(jìn)氣口和所述氣源通過第二管路連接,所述第二管路上設(shè)置有第二控制閥。
優(yōu)選地,所述濕法刻蝕槽包括安裝在所述槽體內(nèi)的用于沖洗所述氣簾外表面的清洗件。
優(yōu)選地,所述清洗件位于所述氣簾的上方,所述清洗件包括與沿所述氣簾的長度方向設(shè)置的主管以及開設(shè)于所述主管上的噴口,所述供給單元還向所述主管提供所述介質(zhì)。
優(yōu)選地,所述供給單元通過第三管路連接所述清洗件,所述第三管路上設(shè)置有第三控制閥。
優(yōu)選地,所述濕法刻蝕槽包括安裝在所述槽體中并能夠向所述玻璃基板 噴灑藥液的噴灑件,所述噴灑件包括噴管以及安裝于所述噴管且與所述噴管相通的噴嘴。
優(yōu)選地,至少在所述進(jìn)口和所述出口處設(shè)置有玻璃感應(yīng)器。
在上述技術(shù)方案中,通過將所述氣簾的進(jìn)氣口與提供介質(zhì)的供給單元相連通,能夠?qū)⒔橘|(zhì)通入到位于所述氣簾的內(nèi)部的通道以對(duì)位于所述通道中的固體物質(zhì)如結(jié)晶體進(jìn)行沖洗,保證了所述氣簾的通道的通暢,使得在進(jìn)行濕法刻蝕作業(yè)時(shí),氣體能夠被穩(wěn)定順暢的排出,從而在所述玻璃基板即將被傳送離開所述出口時(shí),能夠?qū)⑺幰捍祷厮鰸穹涛g槽中,這便大大降低了藥液成本,同時(shí)提高了濕法刻蝕的作業(yè)效率。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種濕法刻蝕設(shè)備,該濕法刻蝕設(shè)備包本實(shí)用新型所提供的濕法刻蝕槽以及向所述濕法刻蝕槽提供藥液的藥液槽。由于在所述濕法刻蝕設(shè)備中設(shè)置了本實(shí)用新型所提供的濕法刻蝕槽,從而能夠利用介質(zhì)沖洗所述氣簾的內(nèi)部的通道,將位于所述通道中的固體物質(zhì)如結(jié)晶體沖洗掉,因此在進(jìn)行濕法刻蝕作業(yè)時(shí),氣體能夠被穩(wěn)定順暢的排出。
優(yōu)選地,所述濕法刻蝕槽包括安裝在所述槽體中并能夠向所述玻璃基板噴灑藥液的噴灑件,所述噴灑件包括與所述藥液槽相通的噴管以及安裝于所述噴管且與所述噴管相通的噴嘴,所述噴管與所述藥液槽之間設(shè)置有增壓泵。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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