[實用新型]一種活動頂針內絕緣封裝結構

有效

• 申請號: 201720096679.8
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN206412355U
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 王趙云;周正偉;張晶晶;李政;任尚
• 申請（專利權）人: 長電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙)32210
• 代理人: 周彩鈞

技術領域

本實用新型涉及一種活動頂針內絕緣封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

由于大功率MOS管發熱量較大，而散熱效果的優劣可以直接影響MOS管及設備的穩定性，因此通常會在大功率MOS管背面貼裝散熱器以提高大功率三極管的散熱效率。然而，為保證其應用于高壓環境中的大功率MOS管的絕緣性能，需要在制造的過程中采用絕緣措施將引線框架與散熱器隔開。最常見的方法是把陶瓷片貼裝于引線框架與散熱器之間。這種絕緣措施有以下缺點：

1、陶瓷片的絕緣的絕緣性市場上優劣不等，需要繁瑣的檢驗流程確定其絕緣性；

2、陶瓷片裝片時如發生斜管將直接導致，芯片離載片臺的距離不等，絕緣效果也不等；

3、陶瓷片的制作流程繁瑣，市場價格昂貴。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種活動頂針內絕緣封裝結構，它能夠解決傳統通過陶瓷片絕緣的價格昂貴和絕緣性的限制。

本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為：一種活動頂針內絕緣封裝結構，它包括引線框架，所述引線框架包括載片臺和引腳，所述載片臺上通過焊料設置有芯片，所述芯片通過焊線與引線框架的引腳電性連接，所述引線框架下方設置有散熱片，所述引線框架、芯片、焊線和散熱片外圍均包封有塑封料，所述散熱片背面露出于塑封料之外，所述散熱片中間設置有一開孔，所述開孔內填充有塑封料。

所述載片臺上設置有V形槽，所述V形槽位于芯片外圍。

所述散熱片背面四周邊緣處設置有鎖膠臺階。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：

本實用新型一種活動頂針內絕緣封裝結構，它通過塑封料進行絕緣，工藝簡單，絕緣結構制造成本低。本實用新型散熱片和載片臺之間的絕緣層厚度可安需求進行調整，其絕緣效果可控。本實用新型能夠解決傳統通過陶瓷片絕緣的價格昂貴和絕緣性不可控的限制。

附圖說明

圖1為本實用新型一種活動頂針內絕緣封裝結構的示意圖。

圖2~圖10為本實用新型一種活動頂針內絕緣封裝結構的工藝方法的各工序流程圖。

其中：

引線框架1

引腳1.1

載片臺1.2

芯片2

焊料3

焊線4

散熱片5

V形槽6

鎖膠臺階7

開孔8

模具9

頂針10

塑封料11。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。

如圖1所示，本實施例中的一種活動頂針內絕緣封裝結構，它包括引線框架1，所述引線框架1包括載片臺1.2和引腳1.1，所述載片臺1.2上通過焊料3設置有芯片2，所述芯片2通過焊線4與引線框架1的引腳1.1電性連接，所述引線框架1下方設置有散熱片5，所述散熱片5背面四周邊緣處設置有鎖膠臺階7，所述引線框架1、芯片2、焊線4和散熱片5外圍均包封有塑封料11，所述散熱片5背面露出于塑封料11之外，所述散熱片5中間設置有一開孔8，所述開孔8內填充有塑封料11；

所述載片臺1.2上設置有V形槽6，所述V形槽6位于芯片2外圍。

其工藝方法如下：

步驟一、參見圖2，取一引線框架，引線框架包含載片臺和引腳，載片臺上設有V形槽；

步驟二，參見圖3，在步驟一引線框架的載片臺上涂覆導電或不導電粘結物質，然后在粘結物質上植入芯片；

步驟三，參見圖4，在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業，所述金屬線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料，金屬絲的形狀可以是絲狀也可以是帶狀；

步驟四，參見圖5，提供一散熱片，散熱片中間具有一開孔，散熱片背面設有鎖膠臺階；

步驟五，參見圖6，預置散熱片至模具內，模具上對應散熱片開孔位置具有一活動頂針，活動頂針穿過散熱片的開孔并露出散熱片上表面；

步驟六、參見圖7，將步驟三完成鍵合金屬線作業的引線框架放入模具中，模具的頂針向上頂起載片臺，使載片臺下表面距離散熱片上表面有一定距離；

步驟七、參見圖8，向模具內注入塑封料，塑封料可以采用有填料物質或是無填料物質的環氧樹脂。注入塑封料后，散熱片和載片臺之間的間隙中會填充進塑封料，使散熱片和載片臺之間絕緣；

步驟八，參見圖9，活動頂針向下運動，未固化的塑封料填充進開孔中，使載片臺背面完全包覆在塑封料中；