[實用新型]一種基于FPGA的NandFlash存儲系統有效
| 申請號: | 201720094132.4 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN206411658U | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發明(設計)人: | 尹超;趙鑫鑫;李朋;姜凱 | 申請(專利權)人: | 濟南浪潮高新科技投資發展有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F12/0877 |
| 代理公司: | 濟南信達專利事務所有限公司37100 | 代理人: | 孫晶偉 |
| 地址: | 250100 山東省濟南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 fpga nandflash 存儲系統 | ||
1.一種基于FPGA的Nand Flash存儲系統,其特征是
包含Microblaze模塊、DDR控制器、地址指令緩存FIFO、多通道Nand Flash控制器,DDR控制器、地址指令緩存FIFO分別與Microblaze模塊及多通道Nand Flash控制器進行通信連接,多通道Nand Flash控制器與Nand Flash存儲陣列進行通信連接;
其中Microblaze模塊用于Nand Flash的壞塊管理及存儲映射,DDR控制器用于輸入數據的高速緩存,地址指令緩存FIFO用于存取對Nand Flash的操作命令及數據寫入的地址,多通道Nand Flash控制器用于連接Nand Flash存儲陣列,實現數據的并行流水寫入。
2.根據權利要求1所述的存儲系統,其特征是外部數據寫入所述存儲系統時,如果DDR控制器中緩存的數據達到Nand Flash存儲陣列并行加流水一個或多個循環的數據量時,DDR控制器向Microblaze模塊發出中斷,Microblaze模塊通過存儲映射及壞塊管理表,找到Nand Flash存儲陣列的物理地址,結合寫命令寫入地址指令緩存FIFO,多通道Nand Flash控制器讀取DDR控制器及地址指令緩存FIFO的數據,寫入Nand Flash存儲陣列。
3.根據權利要求1或2所述的存儲系統,其特征是從所述的存儲系統讀取數據時,Microblaze模塊解析讀取的數據,通過數據與邏輯地址映射及邏輯地址和物理地址映射,找到需要讀取的物理地址,結合讀取命令將其寫入地址命令緩存FIFO,多通道Nand Flash控制器通過并行加流水讀取對應物理地址的數據,將其寫入DDR控制器,讀取數據量滿足時,開始讀取地址命令緩存FIFO中的下一個物理地址,以次類推,讀取結束時,將DDR控制器中的數據發送到外部上位機。
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