[實用新型]一種斜面溝道的SiCMOSFET器件

有效

• 申請號: 201720062944.0
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN206672939U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 倪煒江
• 申請（專利權）人: 北京世紀金光半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司11003
• 代理人: 張宇鋒

1.一種斜面溝道的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件有源區的原胞結構從下至上依次為漏極、n++襯底、n-漂移層、左右對稱設置的兩個p-well層、設置在所述p-well層上的p++區和n++區、設置在所述p++區和n++區上的源電極；其特征在于，兩個p-well層相對的一側均呈向上傾斜的弧形，p-well層的弧形部分的上方設置有向原胞結構的豎向中軸線傾斜的二次外延p型層，兩個所述二次外延p型層的中間設置有截面呈長方形的注入n層，二次外延p型層和所述注入n層的上方依次設置有呈“拱形”的柵氧化層、多晶硅層和隔離鈍化層。

2.根據權利要求1所述的斜面溝道的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述斜面上二次外延p型層的長度為0.2-1μm；二次外延p型層與襯底基板之間的夾角為20-80°。

3.根據權利要求1所述的斜面溝道的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述二次外延p型層的濃度為1E15-1E18cm^-3，厚度為200nm-1000nm。

4.根據權利要求1所述的斜面溝道的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述原胞結構的臺面頂部寬度為1.5-6μm。

5.根據權利要求1所述的斜面溝道的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件的原胞的平面俯視結構為矩形、條形或六角形。