[實用新型]硅膠基導熱儲熱片

有效

• 申請號: 201720058355.5
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN206490962U
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 郭志軍
• 申請（專利權）人: 蘇州鴻凌達電子科技有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H05K7/20
• 代理公司: 昆山四方專利事務所32212
• 代理人: 盛建德,段新穎

技術領域

本實用新型涉及一種屏蔽導熱件，具體是涉及一種硅膠基導熱儲熱片。

背景技術

導熱硅膠可廣泛涂覆于各種電子產品，電器設備中的發熱體(功率管、可控硅、電熱堆等)與散熱設施(散熱片、散熱條、殼體等)之間的接觸面，起傳熱媒介作用和防潮、防塵、防腐蝕、防震等性能。硅膠本身具有很好的儲熱功能，但是其導熱是垂直方向的，在快速導熱時，存在一定的不足。

發明內容

為了解決上述技術問題，本實用新型提出一種硅膠基導熱儲熱片，實現了良好的導熱儲熱的功能。

本實用新型的技術方案是這樣實現的：

一種硅膠基導熱儲熱片，包括導熱硅膠片，所述導熱硅膠片兩面均敷有一層納米銅碳，所述納米銅碳包括經納米工藝處理的納米銅箔、依次形成于所述納米銅箔一側的用于熱輻射吸收導熱的納米導熱材料涂層及用于實現絕緣的納米絕緣材料涂層和形成于所述納米銅箔相對的另一側的用于增強空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層，所述熱輻射低酸均熱層與所述導熱硅膠片接觸。

進一步的，所述導熱硅膠片的厚度為0.5-25mm，所述納米銅碳的厚度為25-75um。

進一步的，所述納米銅箔采用電解法制取，其厚度為25-55um，電解過程中，銅的粒度控制在600-800nm。

進一步的，所述納米導熱涂層包含55-75％固含量的膨脹石墨粉，所述納米導熱涂層的厚度為3-5um。

進一步的，所述納米絕緣材料涂層包含45-60％固含量的氮化硼，所述納米絕緣材料涂層厚度為0.5-2.5um。

進一步的，所述熱輻射低酸均熱層包含25-45％固含量的氮化硼及45-65％固含量的石墨粉，所述熱輻射低酸均熱層的厚度為1-3um。

進一步的，所述導熱硅膠片的主要性能參數為：硬度為35-75 Shore 00，耐溫范圍為-35-215C，密度為1.35-1.85g/cm³，介電性能(耐電壓)為>3KV，導熱性能為1.0-2.0W/M-K，自粘性為20-35Pa.s。

本實用新型的有益效果是：本實用新型提供一種硅膠基導熱儲熱片，通過在導熱硅膠片兩面均復合涂敷一層納米銅碳，利用納米銅碳在垂直和水平方向的導熱優良性，彌補了導熱硅膠的一些不足，同時結合硅膠體的厚度優勢，實現了導熱儲熱的性能。該納米銅碳采用納米銅箔作為導熱基材，并在納米銅箔一側涂布了用于熱輻射吸收導熱的納米導熱材料涂層及用于實現絕緣的納米絕緣材料涂層，在納米銅箔另一側涂布了用于增強空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層，在垂直和水平方向具有良好的導熱性能。

附圖說明

圖1為本實用新型中硅膠基導熱儲熱片示意圖。

圖2為本實用新型中納米銅碳結構示意圖。

具體實施方式

為了能夠更清楚地理解本實用新型的技術內容，特舉以下實施例詳細說明，其目的僅在于更好理解本實用新型的內容而非限制本實用新型的保護范圍。實施例附圖的結構中各組成部分未按正常比例縮放，故不代表實施例中各結構的實際相對大小。

如圖1和圖2所示，一種硅膠基導熱儲熱片，包括導熱硅膠片1，所述導熱硅膠片兩面均敷有一層納米銅碳2，所述納米銅碳包括經納米工藝處理的納米銅箔21、依次形成于所述納米銅箔一側的用于熱輻射吸收導熱的納米導熱材料涂層22及用于實現絕緣的納米絕緣材料涂層23和形成于所述納米銅箔相對的另一側的用于增強空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層24，所述熱輻射低酸均熱層與所述導熱硅膠片接觸。這樣，通過在導熱硅膠片兩面均復合涂敷一層納米銅碳，利用納米銅碳在垂直和水平方向的導熱優良性，彌補了導熱硅膠的一些不足，同時結合硅膠體的厚度優勢，實現了導熱儲熱的性能。該納米銅碳采用納米銅箔作為導熱基材，并在納米銅箔一側涂布了用于熱輻射吸收導熱的納米導熱材料涂層及用于實現絕緣的納米絕緣材料涂層，在納米銅箔另一側涂布了用于增強空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層，在垂直和水平方向具有良好的導熱性能。

優選的，所述導熱硅膠片的厚度為0.5-25mm，所述納米銅碳的厚度為25-75um。該納米銅碳的厚度結合硅膠的厚度，可實現較好的導熱儲熱功能。

優選的，所述納米銅箔采用電解法制取，其厚度為25-55um，電解過程中，銅的粒度控制在600-800nm。這樣，通過該納米工藝處理的納米銅箔具有良好的金屬屏蔽性能及導熱導電性能。