[實用新型]硅膠基導熱儲熱片

有效

• 申請號: 201720058355.5
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN206490962U
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 郭志軍
• 申請（專利權）人: 蘇州鴻凌達電子科技有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H05K7/20
• 代理公司: 昆山四方專利事務所32212
• 代理人: 盛建德,段新穎

1.一種硅膠基導熱儲熱片，其特征在于：包括導熱硅膠片(1)，所述導熱硅膠片兩面均敷有一層納米銅碳(2)，所述納米銅碳包括經納米工藝處理的納米銅箔(21)、依次形成于所述納米銅箔一側的用于熱輻射吸收導熱的納米導熱材料涂層(22)及用于實現絕緣的納米絕緣材料涂層(23)和形成于所述納米銅箔相對的另一側的用于增強空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層(24)，所述熱輻射低酸均熱層與所述導熱硅膠片接觸。

2.根據權利要求1所述的硅膠基導熱儲熱片，其特征在于：所述導熱硅膠片的厚度為0.5-25mm，所述納米銅碳的厚度為25-75um。

3.根據權利要求1或2所述的硅膠基導熱儲熱片，其特征在于：所述納米銅箔采用電解法制取，其厚度為25-55um，電解過程中，銅的粒度控制在600-800nm。

4.根據權利要求1或2所述的硅膠基導熱儲熱片，其特征在于：所述導熱硅膠片的主要性能參數為：硬度為35-75Shore 00，耐溫范圍為-35-215C，密度為1.35-1.85g/cm³，介電性能(耐電壓)為>3KV，導熱性能為1.0-2.0W/M-K，自粘性為20-35Pa.s。