[實用新型]一種深紫外探測器

有效

• 申請號: 201720051168.4
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN206471340U
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 孫卿;呂志勤;羅紹軍;楊福華;湯磊
• 申請（專利權）人: 中蕊（武漢）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/105
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司42104
• 代理人: 俞鴻

1.一種深紫外探測器，它包括透明的襯底，所述襯底上生長的成核層，成核層上生長的緩沖層，其特征在于緩沖層上依次生長的有n型AlGaN層，周期性結構AlN/Al_aGa_1-aN阻擋層，周期性結構AlN/Al_bGa_1-bN吸收層，AlN限制層，周期性結構AlN/Al_cGa_1-cN阻擋層，p型GaN層；所述AlN/AlaGa1-aN阻擋層中每個周期的AlN厚度、AlN/Al_cGa_1-cN阻擋層中每個周期的AlN厚度、AlN/Al_bGa_1-bN吸收層中每個周期的AlN厚度為0.4nm-1.5nm；其中0≤b<a<c<1；p型GaN層上連接p型歐姆接觸電極合金，n型AlGaN層上連接n型歐姆接觸電極合金。

2.如權利要求1所述一種深紫外探測器，其特征在于AlN/Al_aGa_1-aN阻擋層首層為壘材料AlN層，其次為阱材料Al_aGa_1-aN層，接著重復周期壘材料AlN層、阱材料Al_aGa_1-aN層，最后一層為壘材料AlN層；總厚度為50-500nm。

3.如權利要求1所述一種深紫外探測器，其特征在于吸收層首層為阱材料Al_bGa_1-bN層，其次為壘材料AlN層，接著為重復周期阱材料Al_bGa_1-bN層、壘材料AlN層，最后一層為阱材料Al_bGa_1-bN層；總厚度為3-150nm。

4.如權利要求1所述一種深紫外探測器，其特征在于AlN/Al_cGa_1-cN阻擋層首層為阱材料Al_cGa_1-cN，其次為壘材料AlN層，接著為重復周期阱材料Al_cGa_1-cN層、壘材料AlN層，最后一層為阱材料Al_cGa_1-cN層；總厚度為10-200nm。

5.如權利要求1所述一種深紫外探測器，其特征在于所述a的范圍為：0≤a≤0.8，b的范圍為：0≤b≤0.5，c的范圍為：0≤c≤0.8。

6.如權利要求1所述一種深紫外探測器，其特征在于緩沖層為非故意摻雜u型AlGaN，緩沖層的Al組分不大于5％，厚度為2-6μm。

7.如權利要求1所述深紫外探測器，其特征在于.AlN限制層的厚度為1-3nm。

8.如權利要求1-4任一所述一種深紫外探測器，其特征在于AlN/Al_aGa_1-aN阻擋層和AlN/Al_cGa_1-cN阻擋層的禁帶寬度大于AlN/Al_bGa_1-bN吸收層的禁帶寬度。